摘要：基于标准0．18μmCMOS工艺，设计一款输入恒跨导、输出全摆幅的运算放大器．利用最小电流选择电路实现输入的恒定跨导，并采用前置Class AB的结构提高输出驱动能力，实现最大的输出摆幅；同时引入内嵌式的米勒补偿电路来保证放大器工作的稳定性．设计结果表明：在典型工艺角下，0．0～1．8V的共模输入范围内，跨导的变化仅为1．6％，输出摆幅范围为0．005～1．800V，开环增益107．9dB，相位裕度为61．2°，功耗为658．8μW．

摘要：IGBT模块被广泛应用于电力电子各个领域,其运行的可靠性至关重要。键合线失效是IGBT模块最常见的一种失效模式,该文提出一种基于模块跨导的IGBT键合线老化失效状态的准在线监测方法,该方法能够准确辨识键合线老化失效过程。首先对键合线准在线状态监测的原理进行了详细的分析,设计模块跨导的测量电路和数据分析方案,通过实验测量确定了键合线脱落数量与模块跨导之间的定量关系,并进行了温度的归一化处理。理论分析和实验结果表明,所提基于模块跨导的IGBT键合线状态监测方法对键合线老化失效敏感,可在变流器停机时(如风机切除风速时、电动汽车停车时等)实行准在线监测,易于工程实现,对提高功率变流器的可靠性具有非常重要的意义。

摘要：针对现有的线性跨导运算放大器（ＯＴＡ）存在的主要问题设计了一个新的线性ＯＴＡ，模拟结果表明在输入电压从－０．８Ｖ到＋０．８Ｖ变化时，其线性误差小于±１．５％，其温度稳定性能保持输出的偏差电流在±４ｎＡ／℃以内，比现有的ＯＴＡ有更好的线性和温度稳定性。

摘要：用单位增益缓冲器构成的开关电容滤波器(SCF),若能消除寄生电容引起的“阻性”寄生,则可用于高频设计,总寄生灵敏度会因此大大降低。本文在此基础上提出一种新的抗寄生开关电容(SC)跨导元件电路——差分跨导元件,并用它构成了适用于高频的SC浮地电感和积分器。最后用它实现了一个三阶椭圆函数低通滤波器,并经计算机模拟和实验验证,证明了该方案的正确性。

摘要：本文根据n-mosfet的跨导在压力作用下随着压力的增加而减小。主要通过由非掺杂层厚度L的变化的方法来实现其中电子迁移率的改变。设计了在压力作用下跨导可以调制的mosfet器件。基于量子力学理论详细的介绍了器件的设计及理论依据。

摘要：本文给出了一种常用两级低电压CMOS运算放大器的输入级、中间增益级及输出级的原理电路图及它们的主要工作特性。输入级采用了NMOS管和PMOS管并联的互补差分输入对结构,使输入共模电压范围达到全摆幅(rail-to-rail),并采用了成比例的电流镜技术以实现输入级跨导的恒定;中间增益级采用了适合低电压工作的低压宽摆幅共源共栅结构的电流镜负载,提高了输出电阻,进而提高了增益,同时更好的实现了全摆幅特性;输出级采用了高效率的推挽共源极功率放大器,使输出电压摆幅基本上可以达到rail-to-rail;为了保证运放的稳定性与精确性,其基准电流源是采有一个带电流镜负载的差分放大器;为防止运放产生振荡,采用了带调零电阻的密勒补偿技术对运放进行频率补偿。用Hspice软件仿真(因篇幅有限从略)表明了运放较好地达到了设计要求。

摘要：针对高线性氮化镓微波功率器件研制需求,设计并外延生长了复合势垒的Al_(0.26)Ga_(0.74)N/GaN/Al_(0.20)Ga_(0.80)N/GaN异质结构材料,通过理论计算和电容-电压(C-V)测试表明复合势垒材料存在两层二维电子气沟道。生长的复合势垒材料二维电子气迁移率达到1510 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),面密度达到9.7×10^(12)cm^(-2)。得益于双沟道效应,基于复合势垒材料研制的器件跨导存在两个峰,使得跨导明显展宽,达到3.0 V,是常规材料的1.5倍。复合势垒结构器件的跨导一阶导数与二阶导数具有更加优异的特性,表明其具有更高的谐波抑制能力,显示复合势垒AlGaN/GaN异质结构在高线性应用上的优势。

摘要：给出了一种常用两级低电压CMOS运算放大器的输入级、中间增益级及输出级的原理电路图,并阐述其主要工作特性.输入级采用了NMOS管和PMOS管并联的互补差分输入对结构,使输入共模电压范围达到全摆幅(rail-to-rail),并采用了成比例的电流镜技术以实现输入级跨导的恒定;中间增益级采用了适合低电压工作的低压宽摆幅共源共栅结构的电流镜负载,提高了输出电阻,进而提高了增益,同时更好的实现了全摆幅特性;输出级采用了高效率的推挽共源极功率放大器,使输出电压摆幅基本上可以达到全摆幅;为了保证运放的稳定性与精确性,其基准电流源采用一个带电流镜负载的差分放大器;为防止运放产生振荡,采用了带调零电阻的密勒补偿技术对运放进行频率补偿.

摘要：以往有关忆阻器模型及其应用研究主要集中于忆阻器基本概念构建并分析忆阻器模型及其等效电路模型,而基于市场上商用忆阻器件的研究则很少.本文根据忆感器与忆阻器之间的理论关系,基于全球首款商用忆阻器芯片: Knowm 忆阻器,结合第二代电流传输器和跨导运算放大器,构建了一种新型忆感器模型.通过调节输入信号的频率和幅值以及运算跨导放大器的跨导增益,可有效地在电路中实现忆感器忆感值的连续调节.设计了新型忆感器的 LTspice 电路模型和硬件实验电路,以电路仿真结果和硬件电路实验结果验证了新型忆感器模型的有效性和设计方法的正确性.

摘要：通过求解沟道的二维泊松方程得到沟道表面势和沟道反型层电荷,建立了高k栅介质小尺寸绝缘体上锗(Ge OI)p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的漏源电流解析模型.模型包括了速度饱和效应、迁移率调制效应和沟长调制效应,同时考虑了栅氧化层和埋氧层与沟道界面处的界面陷阱电荷、氧化层固定电荷对漏源电流的影响.在饱和区和非饱和区,漏源电流模拟结果与实验数据符合得较好,证实了模型的正确性和实用性.利用建立的漏源电流模型模拟分析了器件主要结构和物理参数对跨导、漏导、截止频率和电压增益的影响,对Ge OI PMOSFET的设计具有一定的指导作用.