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场限环结构电压和边界峰值电场分布及环间距优化
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《固体电子学研究与进展》2003年 第2期23卷 164-169页
作者：何进 张兴北京大学微电子学研究所北京100871 
采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析 ,提出了平面结场限环结构的电压分布和边界峰值电场的解析理论。以单场限环为例 ,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式。讨论了不同环间距和反偏电压对场限环电...
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