摘要：针对抗电磁干扰的需要提出了一种由SiCGe/3C-SiC异质结构成的光控达林顿晶体管设计.用多维器件模拟软件ISE对这种新型功率开关进行了特性仿真.结果表明,与采用其他结晶类型的碳化硅衬底相比,SiCGe与3C-SiC间较小的晶格失配有利于提高器件性能,可使其最大共射极电流增益达到890,获得最好的光触发特性和较好的I-V特性,饱和压降大约为4V.

摘要：在达林顿晶体管中,由于稳定电阻的引入,使电流增益和各级管间集电极电流分配关系发生了变化.当稳定电阻很小时会造成电流增益的严重下降。本文对稳定电阻的影响行为进行了定量分析,并提出了电流增益和电流分配不受稳定电阻影响时稳定电阻间比值P、稳定电阻基本值R、基极电流I_B 之间应满足的公式。文中图示的曲线族可供达林顿晶体管设计参考.

摘要：本文以ＦＨ３２３型高频大功率达林顿晶体管为例，讨论Ｒ１、Ｒ２的作用与选择，提出Ｒ１、Ｒ２的最佳设计方法，从而提高了单片式两级高频功率达林顿晶体管ｈＦＥ、ＩＣＥＯ的温度稳定性．

摘要：达林顿晶体管增益大、可靠性高,尤其在大功率应用中更加简便。介绍了20 A硅PNP达林顿晶体管的设计思路、芯片的内部结构、工艺流程和工艺参数,同时列出了制造的产品的电性能测试结果。

摘要：介绍了一种多路大功率驱动放大电路。该电路由七组达林顿晶体管阵列和相应的电阻网络以及箝位二极管网络构成,具有同时驱动七组负载的能力,是一种单片双极型大功率高速集成电路,适用于各类要求高速大功率驱动的系统。其工作电压大于50V,输出电流大于500mA,开态延迟时间小于1.0μs,关态延迟时间小于1.0μs,电流放大倍数大于1000,温度范围为-55～125°C。

摘要：把限流电路添加到功率放大器或线性稳压器的发射极跟随器输出级．就可保护输出晶体管和下游电路免受过大电流的损害。图1示出了经典的限流器电路晶体管Q2检测在限流电阻器R2两端由输出电流引起的电压降．并从与达林顿晶体管相连的晶体管Q1和Q3转移基极电流。