摘要：SiC MOSFET作为新兴的宽禁带半导体,目前在电源设计中被广泛用于取代Si IGBT。然而在弹载电源这类严苛的应用场合,SiC MOSFET关断暂态带来的超调振荡影响了电源输出的稳定性和品质,并且降低了装置的可靠性。在分析SiC MOSFET开关特性及四种无源吸收电路优缺点的基础上,提出了一种针对SiC MOSFET关断暂态的RC吸收电路优化设计方案,给出了系统效率最优情况下的电路参数范围,提升了吸收电路研发的效率。最后,通过400V/20A双脉冲测试电路进行了实验验证。

摘要：介绍了外高桥900MW锅炉空气预热器在调试阶段频繁故障,严重威胁机组安全运行的情况,分析了故障原因。由于设计不当,导致空气预热器转子和围带的过应力且无法改回传统的正确设计。经深入研究,专门设计了围带与转子的半柔性悬挂式连接结构,能够减少转子和围带的不均匀热膨胀产生的围带过应力,彻底解决了这一问题。

摘要：汽车系统以及在汽车上充电或者工作的移动设备内部的功率MOSFET,可能工作在恶劣的环境下,并承受来自电源设备和发射器的大强度瞬态。另外,空气中以及电路板裸露导电表面的腐蚀性污染物,会引起低阻抗通路。时间一长,这些低阻抗通路和瞬态事件（例如：过载、电磁耦合和工作环境产生的易发尖峰等）,会导致产生破坏性的电气过应力（EOS）状态。

摘要：在铝丝键合中,要提高键合铝丝的拉力强度,最重要的一点就是减少第一焊点颈部的损伤。该文简述了铝丝键合的工艺过程,分析了在自动键合过程中造成第一键合点颈部损伤的主要原因:焊接参数设置不当会造成焊点过应力损伤;焊接顺序不合理会造成超声波作用后,焊点颈部损伤;键合劈刀沾污以及劈刀本身的设计结构也会对焊点造成一定的损伤;键合引线在拉弧度的过程中也会因摩擦受损;压爪或垫块未完全固定基岛,引起键合过程中焊点颈部损伤。