摘要：本文介绍了一种无需基准电压的过温保护电路,将具有正温度系数的不同面积三极管BE结电压差放大后再与具有负温度系数的三极管BE结电压进行比较,产生过温保护控制信号。采用对电源电压不敏感的电流偏置结构,保证了过温保护点和过温恢复点的电压稳定性。基于4μm双极工艺设计和流片,测试结果表明:过温保护点在160℃~165℃,过温恢复点在145℃~155℃,与设计值基本吻合。

摘要：本文介绍了一种用于负压LDO芯片的过温保护电路。该电路利用负压带隙基准电压的零温漂特性与三极管基极-发射极电压差的负温漂特性来产生过温控制信号。同时将该过温保护电路集成到一款负压LDO芯片中。负压LDO芯片基于4μm双极工艺流片,测试结果表明:LDO芯片的过温保护点在(165~170)℃,过温恢复点在(95~100)℃,与设计值基本吻合。

摘要：设计了一种用于升压型DC-DC变换器的过温保护电路。采用具有正负温度系数的电流相减,得到随温度变化更加明显的电流,经过电阻分压控制三极管的通断,并采用推挽反相器整形滤波后得到输出信号,实现了芯片过温关断和迟滞开启的功能。采用HHNEC BCD 0.35μm工艺,使用Cadence软件进行仿真验证。仿真结果显示,在各个工艺角及电源电压波动情况下,电路均能在芯片温度上升到170℃时关断、在芯片温度下降到140℃时开启,迟滞值为30℃(±2℃)。

摘要：采用0.13μm CMOS工艺,设计了一款过温保护电路。芯片内部温度超过109℃时,产生过温保护信号,电路停止工作,从而起到保护作用。为了防止产生热振荡,采用滞回方式。设计实现了在109℃时关断,78℃时再次开启,有31℃滞迟。仿真结果显示,在电源电压波动或工艺参数变化时,过温保护电路的热关断及迟滞阈值点漂移最大误差仅为2℃,稳定性好。

摘要：为简化电路结构,提高精度和降低功耗,提出了一种新型过温保护电路。该电路无需基准电压和比较器,利用PTAT电流源的正温度系数特性,对温度进行检测,同时设计迟滞回路,避免了热震荡的发生。基于HHNEC的0.35μm BCD工艺实现,在电源电压为3V^5.5V下进行测试结果表明,该电路热关断温度为165℃,温度迟滞量为15℃,误差为1℃,与仿真结果一致,可以广泛应用于功率集成芯片中。

摘要：设计了一种通用的过温保护电路。该电路是利用晶体管的BE结具有负温度系数的原理,转化成随温度升高而降低的BE结电压,控制晶体管的通断来达到过温保护的目的。仿真结果表明,该过温保护电路具有良好的稳定性,可以通用于大多数DC-DC转换器芯片中。

摘要：设计了一种基于BiCMOS工艺、结构新颖的过温保护电路。对基准电流产生机理、芯片关断温度、芯片重新开启温度、温度滞回量和电路转换速度进行理论推导,给出了电路核心器件的参数设置。仿真结果显示,电路在127℃时关断芯片,116℃时重新开启芯片,温度滞回量为11℃,电路转换速度为26.2V/℃,性能稳定、可靠。

摘要：为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,提出了一种改进的高精度、低功耗、具有迟滞功能且结构简单的过温保护电路。在不引入热振荡的前提下,实现稳定电路温度和输出关断信号的双重功能。阐述了过温保护电路的工作原理,基于先锋国际半导体公司的BiCMOS0.5μm工艺库模型进行电路设计,采用Hspice软件并用先锋国际半导体公司的BiCMOS 0.5μm工艺库模型对该电路进行模拟仿真。仿真结果表明:当外界温度达到137℃时,过温保护电路输出发生翻转,从而关断芯片内的其他电路,降低功耗,使温度降低。当温度降到120℃时,芯片回到正常工作状态,温度迟滞量为17℃,性能稳定可靠。

摘要：设计了一款带有软启动电路的精密CMOS带隙基准源,并且利用PN结正向导通电压具有负温度系数和基准源提供的偏置电流具有正温度系数的原理实现了过温保护功能。采用UMC公司0.6μm 2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明带隙基准的输出电压为1.293 V,且具有较高的精度和稳定性。在1.5V^4.0V的电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.27 mV;在-40℃~120℃的温度范围内,基准随温度的变化约为4.41 mV;基准的输出启动时间约为25μs;当工作温度超过160℃时过温保护电路将输出使能信号关断整个系统。

摘要：电源管理芯片中过温保护电路用来检测芯片的温度。当温度过高时,过温保护电路输出保护信号,使芯片停止工作,以免温度过高而损坏芯片。为了实现上述过温保护电路功能,提出了两种新型的过温保护电路,不但能够精确地检测芯片的温度,并且功耗很低。采用0.5μm N-阱CMOS工艺的方法,进行电路设计,并使用Cadence Spectre工具进行了仿真实验验证。仿真实验结果表明两种电路仅消耗3μA的电流就能够实现精确的温度检测,其具有较强的适应性,高灵敏度和高精度的特点,应用前景比较广泛。