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近化学计量比铌酸锂晶体生长的新方法(英文)
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《硅酸盐学报》2008年 第5期36卷 608-611页
作者:吴剑波 姚淑华 夏宗仁 秦小勇 高磊 刘宏 王继扬中电科技德清华莹电子有限公司浙江德清313200 山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 
在计算机温场模拟的基础上,探索设计了悬挂式双坩埚和均匀加料装置。在富锂(Li2O摩尔分数为58.5%)熔体中采用提拉法生长了φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体。测量结果表明:晶体的紫外吸收边发生了明显的蓝移,测得Li摩尔分数达...
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底部籽晶法:一种高温溶液晶体生长新方法
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《人工晶体学报》2005年 第1期34卷 1-6页
作者:徐家跃中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 
为了从高温溶液中生长非一致熔融的单晶材料,发展了一种叫做“底部籽晶法”的新生长方法。通过设计大的垂直温度梯度,解决了助熔剂或高温溶液对籽晶的侵蚀问题;采用后加热系统,有效地控制了晶体的开裂。采用底部籽晶法,成功地生长了新...
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