摘要：O484.1 2004032075 聚乙烯咔唑/铟锡氧化物的界面分析=Interface analysison the poly(N-vinylcarbazole)/indium-tin-oxide[刊.中]/彭应全(兰州大学物理科学与技术学院.甘肃,兰州(730000)),郑代顺…∥光电子·激光.—2003,14(7).

摘要：简要介绍了纳米科技的发展历史 ,着重概述了纳米材料中的基本物理效应及其特性和纳米科技可能的发展方向和应用趋势 ,指出了纳米科技这一新领域向凝聚态物理学提出的挑战和物理学理论发展的机遇 ,同时提出了将来理论研究中可能采用的研究方法 ,表述了纳米结构材料必将成为具有特殊性质材料设计中的基本构件这一观念。

摘要：根据应变理论及有限深量子阱理论,对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算,得到激射波长为1064nm激光器的应变量子阱的厚度,并采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长该应变量子阱,实验结果与设计波长基本一致。

摘要：提出了一种应用PSpice仿真SET的方法,该方法通过所设计的宏模型可实现SET的基本特性仿真。仿真结果表明,所设计的宏模型具有合理的精确度。

摘要：本文评述了用扫描隧道电子显傲镜(STM)进行nm级表面加工的方法,现状和应用展望。用STM进行表面微细加工的方法主要有两类:一类是在STM的针尖上加电压脉冲,使针尖下的表面形成点、线或规定的图形符号;另一类是通过STM的电子束引起适当的化学反应,在针尖下的表面上淀积金属点、线。近年来已用第一类方法在Si(110)和Si(001)表面上直接写入了点的阵列,其写入密度在STM的扫描面积10×10μm^2上超过10~6。利用有机金属化合物气体在STM的针尖和表面间分解,在Si表面上淀积的金属点、线,相应的直径和线宽约25nm。将STM与固体器件工艺技术结合,已制得尺寸长2μm、宽120nm的Au-Pd合金薄膜电阻,其室温电阻值为2.5K。STM在上述领域中的应用是:修补或制造集成电路的掩模或电路;开发高密度数据存贮器;进一步缩小现有器件的尺寸,提高器件集成度;以及设计和制造以量子尺寸效应为作用基础的新器件。

摘要：20世纪60年代理论预言金属-半导体转变,但在随后的30年间实验研究未获进展,直到20世纪90年代才取得了飞速发展。Ⅳ族金属元素Sn、Pb和Ⅴ族金属元素Sb、Bi的外延膜先后观察到了金属-半导体转变,并提出了"空穴导电"模型,取代以往的"电荷中性"模型。在超细金属微粒的研究上,由于金属能带转变为半导体禁带能隙结构,发现了很多相应的、与块状金属不同的光、电、磁、热、力学和化学特性,有力地推动了学科的发展。

摘要：物理所北京凝聚态物理国家实验室马旭村研究组与清华大学物理系薛其坤、贾金锋和陈曦合作，在前期研究工作的基础上，进一步开展了磁性有机分子CoPc的吸附行为研究，观察到吸附过程对Pb薄膜的厚度存在着强烈的选择性。据此现象，他们完全排除了扩散等动力学过程对吸附行为的影响，证明这完全是量子尺寸效应的结果。该研究对于设计磁性分子的表面吸附结构、理解磁性分子与衬底的耦合作用，

摘要：0116394简立方单原子纳米晶体颗粒的声子结构研究[刊]/李桂梅//半导体光电.—2001,22(1).—54～57(C)应用Dyson方程推导了简立方单原子纳米晶体颗粒的声子格林函数。以此为基础,研究了简立方纳米晶体颗粒的声子结构,计算了其声子能级和声子态密度。计算结果表明,由于量子尺寸效应,在纳米晶体颗粒中,声子能带分裂为一系列能级,随着纳米晶体颗粒尺寸的减小,声子能级分裂越为显著。参60116395对三氟甲氧基肉桂酸酯类液晶的合成与相变研究[刊]/李衡峰//液晶与显示.—2001,16(2).—114～119(C)设计并合成了一类新型的对三氟甲氧基肉桂酸酯类液晶。