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利用TCAD方法优化设计金属栅cmos工艺及电路: 收藏
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引用; 《东南大学学报（自然科学版）》2006年第4期36卷 512-516页; 作者：赵野孙伟锋俞军军苏巍李艳军东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 无锡华润上华半导体有限公司无锡214061; 为了降低集成电路制造工艺的成本,用计算机辅助工艺设计(TCAD)的方法开发了金属铝栅cmos工艺.首先利用3μm金属铝栅工艺对模拟软件TSUPREM-4和器件模拟软件MED ICI进行了校准,再对金属铝栅1.5μm短沟道cmos工艺进行器件结构、工艺和电...; 为了降低集成电路制造工艺的成本,用计算机辅助工艺设计(TCAD)的方法开发了金属铝栅cmos工艺.首先利用3μm金属铝栅工艺对模拟软件TSUPREM-4和器件模拟软件MED ICI进行了校准,再对金属铝栅1.5μm短沟道cmos工艺进行器件结构、工艺和电气性能等参数的模拟,以最简约工艺在现有工艺线上成功流水了1.5μm铝栅cmos.实际测试阈值电压为±0.6V,击穿达到11V,各项指标参数的模拟与实际测试误差在5%以内,并将工艺开发和电路设计结合起来,用电路的性能验证了工艺.利用TCAD方法已成为集成电路和分立器件设计和制造的重要方法.; 来源：详细信息评论

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