摘要：分析研究了SiC金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)各参数与其动、静态特性的内在关系,提出了一种基于PSpice的SiC MOSFET建模新方法。通过引入电压控制电压源对栅极阈值电压进行补偿修正,采用两种不同的结电容模型描述各端电压不同而带来的结电容的变化,并同时增加了MOSFET的漏源电阻、栅极电阻随温度变化的变温度子模型。新模型可全面准确反映SiC MOSFET的动、静态特性,为SiC MOSFET的开关过程分析、损耗计算及主电路设计提供了重要依据。

摘要：在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为开关配合电容充放电实现脉冲功率放大时，输出的脉冲电流受到MOSFET元件性能制约，而且由于分布参数的影响脉冲电流非常容易出现过冲。为了解决这些问题，提出了一种MOSFET互补输出电路，它能提供更快的脉冲关断时间，并且对过冲的产生起到一定抑制作用。经实验证明，改进后电路的输出得到了改善。