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硅外延工艺与基座的相关性研究
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《半导体技术》2012年 第8期37卷 638-641页
作者：高淑红 赵丽霞 袁肇耿 侯志义 王艳祥河北普兴电子科技股份有限公司石家庄050020 
硅外延使用包封SiC的石墨基座,基座的尺寸及基座上承载槽的形貌和硅外延片的滑移位错直接相关。为使高温下Si片内产生的应力不超过滑移位错产生的临界应力,必须使Si片处于均匀的温区。实际使用表明,基座边缘热辐射及热量被气流带走使基...
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