摘要：为进一步提高静电净油技术中的非均匀电场梯度,在具有"城垛"型结构净油装置中引入钛酸锶钡电介质瓷粉,采用固相法制得微结构、电性能适于净油的Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3陶瓷,在此基础上研究了电场强度和净化时间对静电净油效果的影响。结果表明:Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3瓷粉为平均粒径为40μm,在30～40℃范围内介电常数为9000～11000,适于用作静电净油的高介无机电介质材料。Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3瓷粉的引入改善了净油环境和非均匀电场梯度,从而增强了装置对油液中Fe_2O_3的吸附,除杂率最高可达91.08%。

摘要：钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3)材料既具有钛酸钡(BaTiO3)的高介电常数和低介质损耗,又具有钛酸锶(SrTiO3)结构稳定的特点,是非常理想的高压陶瓷电容器材料。本论文采用常规陶瓷电容器制备工艺,利用正交设计实验法研究了配方对Ba1-xSrxTiO3基高压陶瓷电容器介电性能的影响,得到了影响该系统陶瓷介电性能的主次因素以及各因素水平影响其性能的趋势,并讨论了Bi2O3.3TiO2、CaZrO3、Nb2O5和MgO改性添加物对材料性能的影响。通过正交实验得到了综合性能较好的钛酸锶钡基陶瓷配方,结果表明,在Ba1-xSrxTiO3(当x=0.4时)中加入8%Bi2O3.3TiO2、6%CaZrO3、0.6%Nb2O5和0.5%MgO时,其介电常数ε为3785、介质损耗tgδ为23×10-4、耐压强度Eb为11kV/mm;而在Ba1-xSrxTiO3(当x=0.4时)中加入8%Bi2O3.3TiO2、10%CaZrO3、0.2%Nb2O5和1%MgO时,其ε为3416、tgδ为30×10-4、Eb为13.5kV/mm。

摘要：氨是一种重要的工业原料,也是一种潜在的绿色能源,在环境条件下利用可再生能源将氮气还原合成氨是一种有吸引力的方法,但是开发高效光电化学合成氨的催化剂仍然是一个挑战。在此,采用两步法制备BaSrTiO_(3),并用管式炉煅烧将Pt纳米颗粒修饰在BaSrTiO_(3)上制备Pt@BaSrTiO_(3)。采用XRD、BET、XPS、SEM、TEM、UV-Vis和PL进行表征,分析所得催化剂的晶体结构、形貌和光学性能。研究BaSrTiO_(3)和Pt@BaSrTiO_(3)在常温常压下光电化学合成氨性能。结果表明Pt@BaSrTiO_(3)在-0.3 V(***)电位下合成氨的产率为26.57×10^(-8) mol·h^(-1)·mg^(-1),是纯BaSrTiO_(3)的2倍(13.12×10^(-8) mol·h^(-1)·mg^(-1))。另外,Pt@BaSrTiO_(3)作为催化剂在-0.3 V(***)的法拉第效率为5.43%。通过在BaSrTiO_(3)上修饰Pt,增加催化剂的活性位点。修饰Pt减小催化剂的带隙,可见光吸收范围增大。此外,Pt-BST异质结结构进一步增强电荷分离和转移,抑制电子-空穴对的复合从而提高电荷分离效率。这项工作为进一步设计钙钛矿催化剂来提高氨的产率提供了良好的思路。

摘要：在A位稀土离子La^(3+)掺杂BNBST中设计Sr^(2+)空位进行电荷补偿,采用传统固相法制备了Bi_(0.3)Na_(0.3)Ba_(0.12)Sr_(0.28-1.5x)□_(0.5x)La_(x)TiO_(3)陶瓷(缩写为BNBSLxT,x=0、0.01、0.03、0.05、0.07),研究了不同La^(3+)离子掺杂量对陶瓷相结构、微观结构、介电性能及储能特性的影响。结果表明:所有陶瓷均为单一钙钛矿结构,La^(3+)掺杂可细化晶粒。随着La^(3+)掺杂量增加,陶瓷的剩余极化值大幅度降低,电滞回线从“宽胖型”转变为“细长型”,显著增强了储能特性。BNBSL0.05T陶瓷具有高介电常数ε_(r)(>2000@1 kHz)和低介电损耗tanδ(<10^(-2)@1kHz),在95 kV/cm电场下的储能密度和效率分别为W_(rec)=1.56 J/cm^(3)和η=85.88%,同时具有良好的温度、频率和循环稳定性,可作为低电场下高储能密度脉冲功率陶瓷电容器的候选材料。

摘要：采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算研究了(Ba0.5Sr0.5)TiO3(BST)晶体在高压下的电子结构及能带变化行为.研究结果发现,随着压强的增加,BST能带间隙先增加,在压强为55GPa时达到最大值,然后减小,这些有趣的结果将有助于开发与设计新的BST铁电器件.进一步地,通过电子态密度和密度分布图的研究分析可知:在低压区域(055GPa),则是出现的离域现象占主导(电子的离域作用超过键态的作用),从而使带隙减小.

摘要：钛酸锶钡(BST)高介电常数材料被普遍认为是最有前途的DRAM电容介质材料。BST作为DRAM电容介质材料的研究已有多年,到目前为止取得了不少突破性的进展。介绍了BST的材料特性和堆积型电容结构电极、埋层材料的设计考虑,探讨了BST膜的制备、掺杂及刻蚀工艺技术。

摘要：设计出基体材料为聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT),散射体材料为钛酸锶钡(BST)的一维声子晶体匀直杆.因为组成该结构的2种材料的弹性模量和泊松比都与温度相关,温度的改变将引起材料物理参数的变化,从而导致晶体中弹性波带隙结构的变化.采用集中质量法,仿真计算该声子晶体中温度分别为30℃和45℃情况下,2种结构的带隙分布情况,寻找相应的变化规律。研究表明:对于一维二组元BST/PBT匀直杆状声子晶体结构,随着结构温度由30℃增大为45℃,该声子晶体的第1带隙及第2带隙的起始频率、截止频率以及带隙的中心频率降低;同时,温度增大能够减小第1带隙的带隙宽度,增大第2带隙的带隙宽度。温度变化为调控声子晶体的带隙特性提供了新的设计思路。另外,基于温度变化还可以通过改变结构晶格常数的取值来获得所需的带隙.

摘要：为了使钛酸锶钡（BST）铁电陶瓷应用于移相器,研究了原料配方和合成方法对钛酸锶钡（BST）铁电陶瓷的结构与性能的影响。以钛酸盐、碳酸盐和二氧化钛为原料进行组合,并掺杂改性物质,制备BST陶瓷,用XRD、SEM检测其晶相及显微结构,用闭腔法测量其微波介电性能。结果表明,不同原料或合成方法形成的BST陶瓷的晶相组成均相同,其中以钛酸钡、钛酸锶合成BST陶瓷的微波介电性能最佳。添加质量分数60%MgO和少量La2O3的（Ba0.6Sr0.4）TiO3的介电性能为：εr=96.6,Q·f=1 155 GHz,T=9.5%（2×10^3 V/mm）,τf=2.5×10^-3/℃,满足移相器对BST材料的要求。用该组成设计了3节阻抗匹配的360°铁电体移相器,8-12 GHz范围内,插入损耗小于3 dB,电压驻波比小于1.5。

摘要：针对铁电体透镜式移相器的阻抗失配问题,分别采用3级、4级和5级的1/4波长阻抗匹配器结构,对铁电体移相器进行阻抗匹配调试仿真。通过对比不同匹配级数的匹配效果,最终确定了4级的匹配方案,并通过进一步优化器件结构,设计出的铁电体移相器在X频段内可实现360°相移,驻波比在主带宽内小于1.2,反射系数大于20 dB,中心频率处反射系数达到40 dB,信号传输系数在低频处小于1.1 dB,在高频处为1.5 dB,实现了铁电体移相器较好的阻抗匹配。

摘要：钛酸锶钡（BaxSr1-xTiO3，简称BST）薄膜具有非线性强、漏电流小、居里温度可调等特点，因而在介质移相器、压控滤波器等方面有着广泛的应用前景。笔者对BaxSr1-xTiO3（x=0．45—0．90）系列陶瓷的晶体结构和介电性能、膜厚均匀性控制、BST薄膜的微结构（包括组成、晶体结构和电畴等）和介电非线性尺度效应、铁电薄膜介电非线性模型、薄膜型介质移相器的设计和制作等重要问题进行了研究，取得了以下研究结果：