摘要：近几年来,铁电存储器研究取得了很大进展.铁电存储器因其所具有的许多优越性和良好的应用前景而受到人们的广泛关注和重视.本文介绍了铁电存储器的工作原理及设计与制作方法.并对其研究现状及进一步发展趋势作了简要的评述.

摘要：基于电子科技大学研制的铁电电容的参数,修正了HSIM软件中的铁电电容模型,利用此模型,设计了2T-2C铁电存储单元的读写电路,分析了位线电容的匹配性问题。完成了铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成,并进行了芯片测试。通过调节位线寄生电容值,得到所设计电路的最大信号电压差(即读出容差)为1.3V,实现了集成铁电存储器单元的正确读写,成功验证了电路读写功能的正确性和模型的准确性,为进一步开发铁电存储器奠定了基础。

摘要：介绍了一种新型铁电存储器FM25CL64,分析了TMS320VC5402DSP的SPI引导装载模式,给出了一种基于铁电存储器FM25CL64的DSP脱机独立运行系统的设计方案,该方案已成功地应用到一种语音门锁系统中。

摘要：　提出了一种全新的基于铁电存储器FeRAM编程的非挥发FPGA思想(概念),它主要是针对基于SRAM的FPGA的掉电挥发性问题提出的。文章在采用传统2T-2C结构的铁电存储单元的基础上完成数据的编程操作,并进一步对上述单元进行了电路和时序上的调整设计,提出了在FPGA工作环境下虽破坏性读出但无需回写的铁电存储单元。通过对文中提及的两种单元电路的仿真模拟,实现了编程数据的掉电保护、上电恢复的非挥发功能,初步验证了基于FeRAM编程的非挥发FPGA思想的正确性和可行性。

摘要：铁电存储器在航天领域具有很大的应用潜力,研究其辐射效应对其今后的宇航应用有重要意义.利用重离子加速器对1 Mbit铁电存储器进行了单粒子辐射效应试验,分析了铁电存储器的单粒子效应类型及其机理,进行了静态测试模式和动态测试模式的对比试验研究,得到了该铁电存储器发生单粒子翻转的线性能量传输阈值和单粒子翻转截面,以及发生单粒子闩锁的线性能量传输阈值.该试验结果为铁电存储器的空间应用及加固设计提供了参考.

摘要：介绍了一种具有两线接口的铁电存储器FM24CL04在脱扣器寿命测试台系统中应用。详细描述该器件的基本结构、工作原理和使用方法,设计了以C8051F020单片机为控制核心的脱扣器寿命测试台系统,并给出了FM24CL04读写操作程序。运行结果表明,该测试台抗干扰能力强、使用简便、成本低,且节省了访问时间。

摘要：铁电存储器(ferroelectric random access memory,FRAM)是利用铁电材料可以自发极化,并且极化强度可以随外电场的作用而重新取向的特性为存储机制的一种非易失性存储器,它以其功耗低、读写速度快、耐久度高、抗辐射能力强等优点,成为存储器领域最具潜力的产品之一。首先设计了一种1 kbit铁电存储芯片的整体架构,其次对其不同的工作时序进行了分析,再次对铁电存储器外围译码电路、驱动电路以及灵敏放大电路等电路模块进行了设计,每个设计过程包括电路设计、电路仿真和版图设计。由仿真结果可以看出,电路的选取均适用于铁电存储器的要求,为以后大容量、产品化的铁电存储器设计起到了基础性的指导作用。

摘要：以清华大学微电子所的铁电存储器工艺为基础,设计了一个规模为4kb(512×8位)的铁电存储器,包括存储阵列、灵敏放大器、字线位线译码、驱动脉冲产生等模块。设计中,采用新开发的铁电电容模型,文中重点介绍了与传统DRAM、SRAM等存储单元完全不同的铁电存储单元的设计方法。仿真结果表明,铁电存储器在5V工作电压下工作周期为120ns。

摘要：针对FRAM的随机读取速度快、非易失性等特性,提出了采用FM18L08的12导心电图机的存储器扩展的解决方案。系统应用FM18L08独立作为DSP外围存储器扩展,替代了传统ROM和SRAM分立设计,简化了系统硬件和软件设计,提高了系统可靠性,并设计了FRAM与高速DSP芯片的接口,提高了存储器的访问速度,同时实现了心电数据快速无挥发存储。

摘要：FM3116是Ramtron公司基于I2C的具有多种功能的铁电存储器,具有存储速度快,功耗低,非易失存储等特点,提出了一种FM3116在复费率电能表中的应用设计,并给出基于FM3116的电能表存储系统的软硬件设计。