摘要：复杂成分的高熵氧化物可以设计成具有有趣物理现象的新型铁电材料。通过传统高温固相法成功地合成了一种单相钙钛矿结构(K_(0.5)Bi_(0.5))_(0.2)Ba_(0.2)Sr_(0.2)Ca_(0.2)Mg_(0.2)TiO_(3)高熵陶瓷,研究了其介电性能和铁电性能。多元素掺杂使得陶瓷在测试温度范围内没有观察到明显介电弛豫峰。低于300℃时,陶瓷介电常数温度稳定性较高。当测试温度为650℃,频率为100 Hz时,得到最大的介电常数8887。结果表明:高熵概念的引入不仅在成分复杂的材料中可以发现新的高熵铁电体,而且是调节电子陶瓷性能的可行策略。

摘要：北京科技大学新材料技术研究院、北京材料基因工程高精尖创新中心的研究团队设计了一种新型的层状结构材料,采用一种简单的溶液外延生长方法,获得超薄(低至1 μm)铋氧化物薄膜,并稳定呈现出高的宏观铁电性能。原子尺度的高密度电子器件,如低维场效应晶体管、纳米级低功耗逻辑和非易失性存储器等,在未来科技发展中具有重要意义。其中,高质量原子尺度铁电外延薄膜的制备是超尺度、高密度电子器件发展的关键环节。

摘要：采用化学溶液分解法分别制备了锆钛酸铅镧(PLZT)(x/65/35,Pb1-xLax(Zr0.65Ti0.35)O3)单组分薄膜和PLZT梯度薄膜,研究了镧掺杂对PLZT组分薄膜铁电性能的影响。结果表明:PLZT单组分和梯度薄膜具有良好的钙钛矿结构,PLZT-123梯度薄膜比PLZT(2/65/35)单组分薄膜在(111)面具有更好的结晶性能。薄膜结构致密无裂缝,与基片表面紧密结合,界面清晰,且表面平整,薄膜厚度均匀,约为400nm。薄膜的最佳掺镧浓度为2%,PLZT(2/65/35)和PLZT-123薄膜表现出了良好的铁电性能,它们的剩余极化强度为36.65μC/cm2和40.47μC/cm2。实验表明掺镧浓度对薄膜性能有着重要的影响,当掺镧浓度较低时,PLZT单组分和梯度薄膜具有良好的铁电性能,而且平均掺镧浓度相同的梯度薄膜比单组分薄膜具有更加优异的铁电性能。

摘要：光固化3D打印技术在制备异形压电陶瓷方面具有广阔的应用前景。本文采用数字光处理技术制备了钛酸钡(BaTiO3)压电陶瓷,研究了坯体形貌、烧结温度对钛酸钡微观结构的影响。结果表明,曲拉通X-100的引入使陶瓷料浆的黏度小于3 Pa·s,同时陶瓷粉体的引入未改变树脂的性质。陶瓷坯体层间结合良好,且无明显缺陷。烧成后的BaTiO_(3)陶瓷内部含有四方与正交两种晶相,剩余极化强度为27.6μC/cm^(2),矫顽场为4.6 kV/cm,相对介电常数为2512,介电损耗为0.0091,居里温度为167℃,介电常数为182 pC/N。

摘要：为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ、ＦＤＭ的实际应用和研究提出了多层结构铁电薄膜的设计思想．采用脉冲准分子激光淀积方法实际制备了两种不同电极的ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ多层铁电薄膜．用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路测试了这两种薄膜的铁电性能．结果表明，多层结构铁电薄膜具有良好的铁电性能。

摘要：本文介绍了铁电薄膜材料铁电性能的测量原理和方法。分析了以传统测量电路Sawyer Tower电路为基础的电滞回线测量方法和基于虚地模式的电滞回线测量方法 ,并提出了一种基于计算机的铁电性能综合测试仪的实现方案 ,对其中的主要部分微电流放大器的设计作了介绍。该测试仪不仅能画出铁电薄膜的电滞回线 ,还可以得到铁电薄膜材料的饱和极化Ps、剩余极化Pr、矫顽场Ec、漏电流Ik等参数 ,以及对铁电薄膜材料的铁电疲劳性能、铁电保持性能的测试。

摘要：声表面波煤矿瓦斯传感器是一种新型瓦斯传感器,PZT基高压电铁电薄膜是该类传感器制备的理想功能材料,铁电性作为PZT基铁电薄膜的另一个重要性能对传感器的工作特点和稳定性具有重要影响。因而,测试并掌握具有高压电性铁电薄膜的铁电性也是器件材料表征的一项重要工作。采用Sawyer Tower电路原理,自主设计铁电测试电路,制备PZT基铁电薄膜,并利用该电路测试薄膜的铁电性。由实验结果可知,自主设计的Sawyer Tower电路能简便、有效、准确和直观的测试薄膜的铁电性能,有望广泛应用于薄膜铁电性能测试及研究。

摘要：本研究采用溶胶-凝胶法制备了BiFeO_(3)薄膜,选用不同的升温速率在500℃下加热30min获得结晶的BiFeO_(3)薄膜,通过X射线衍射仪、扫描电镜及铁电综合测试仪分析薄膜的相成分、微观结构以及铁电极化性能;研究了加热速率对三者的影响,并分析了相成分和结构变化对BiFeO_(3)薄膜铁电性能的影响。结果显示,高升温速率有利于薄膜结晶度的改善,从而提高了薄膜的铁电性能。

摘要：快速退火(RTA,rapid thermal annealing)工艺的升温速率高,可以在很短的时间(1 min)内升到PZT薄膜的晶化温度,缩短薄膜的晶化时间,有利于降低升温过程中氧化铅的挥发损失,减少过渡层Ti原子的扩散。但是因为热处理时间太短,RTA在控制薄膜残余应力和薄膜的取向生长方面存在着不足。设计分段RTA工艺来控制薄膜生长的结晶取向,采用XRD和SEM对PZT薄膜微观结构进行分析,结果表明:分段RTA工艺能够获得结晶性能和铁电性能良好的(111)择优取向的PZT薄膜,650℃是形核阶段最佳退火温度,600℃是晶粒生长阶段最佳温度,二次退火工艺可以促进薄膜晶化完全。

摘要：旋光性高分子在结构上具有一定的空间特异性 ,因而可以有多种应用。根据铁电材料所必需具备的条件 ,经过特定的分子结构设计 ,可以使之具备铁电性能。据此 ,人们已合成了许多不同类型的铁电聚合物。本文按照铁电聚合物所处的聚集态不同 ,分别综述了具有铁电特性的晶态和液晶态旋光性聚合物的种类、结构特点及其铁电性能 ,分析讨论了影响液晶态旋光性聚合物的自发极化率和响应时间的因素。