摘要：在锆合金基体上制备直流磁控溅射铬膜,研究了基体宏观粗糙度、膜层沉积前的离子轰击对膜/基附着性的影响,以探讨利用铬膜改善锆合金耐蚀性的可能性。实验中,使用扫描电镜(SEM)观察了界面形貌及Zr、Cr的界面分布,用划痕法测定了铬膜的附着性,结果表明:锆/铬界面结合良好,边界清晰,成分升降区依界面形貌不同而有差异;实验获得的铬膜附着性均超过20N;在本文条件下,机械锁紧力对附着性有重要影响;基体宏观粗糙度的增加对附着性无明显影响,但表面轻微粗化有利于膜的附着性;溅射前的基体离子轰击有利于提高铬膜与基体的附着力,但轰击时间过长并无意义。

摘要：为了利用铬膜改善锆的抗腐蚀性,研究了退火对Zr-2基体上制备的直流磁控溅射铬膜附着性的影响。使用扫描电镜(SEM)观察了界面形貌及锆、铬的界面分布,用X-射线衍射仪(XRD)分析了膜层的组成,用划痕法测定了铬膜的附着性。结果表明:锆/铬界面结合良好,边界可见;与现有文献比较,获得的铬膜附着性好——均超过20N;溅射后退火使Zr-Cr界面更像扩散界面,但X-射线衍射结果未发现有界面反应产物;退火提高铬膜与Zr-2基体的附着性约50%,扩散附着是附着性增加的主要因素。

摘要：研究了膜层厚度对锆合金基体上制备的直流磁控溅射铬膜附着性的影响。用扫描电镜观察了界面形貌,用原子力显微镜观察了膜层表面形貌,用能谱仪测定了界面成分,用划痕法测定了铬膜的附着性。结果表明:膜/基界面结合良好,界面上存在成分梯度,成分升降区狭窄;随着铬膜厚度从0.5μm增加到 2.0μm,晶粒迅速长大、致密的细纤维状组织的端面出现拱形,铬膜层附着性降低约50%;但铬膜厚度达1.0μm后,晶粒长大的速度和铬膜附着性下降的速度同时趋缓,表明铬膜的附着性与其晶粒大小有明显关系。膜层厚度增加引起膜层附着性下降的主要原因是由于厚度增加所带来的膜层组织及力学性能变化和膜层应力增加。

摘要：研究了铬膜和铌膜的复合对锆合金基体上制备的直流磁控溅射薄膜附着性的影响。使用扫描电镜(SEM)观察了膜层界面,用原子力显微镜(AFM)观察了膜层表面,用划痕法测定了薄膜的附着性。结果表明:膜/基界面结合良好,界面成分升降区狭窄;铬膜与铌膜组成的复合薄膜结合紧密;铬膜的组织为致密、边界孔洞少的纤维状晶粒,铬膜厚度为2 靘时,晶粒仍为亚微米级,但晶粒顶面已出现拱形;膜厚同为2 靘时,外层1 靘铌膜+内层1 靘铬膜组成的复合膜的附着性分别是外层1 靘铬膜+内层1 靘铌膜组成的复合膜的2.35倍、2 靘铬膜附着性的3倍,其原因在于膜层组织及力学性能变化、铌膜韧性好和复合顺序。因此,依靠铬膜厚度的增加来提高铬膜保护性的方法具有较大局限性,通过在一定厚度的铬膜外复合铌膜的方法则有较好的可行性。

摘要：0005844微波等离子体化学气相沉识β-C3N4超硬膜的研究[刊]/张永平//河北科技大学学报.—1999,20（4）,—1～4（A）0005845渐变滤光铬膜的遮板设计与真空镀制[刊]/李新昌//电子工业专用设备.—1999,（4）.—16～19,59（A）论述了在平面光学零件上镀制渐变滤光铬膜时,

摘要：一、前言制作LSI和VLSI集成电路的铬掩模,图形线条细密至几个微米乃至亚微米。要求制造的尺寸精度小于设计尺寸的十分之一。由于湿法腐蚀侧向钻蚀严重,要做到成功的细线条腐蚀是相当困难的。等离子体腐蚀则侧向钻蚀小,可获得比较精细的线条,而且工艺和设备都比较简单,适于较大面积的腐蚀。本文报导采用等离子体腐蚀制作0.