摘要：利用直流磁控溅射技术(DCMS)制备锐钛矿tio2薄膜,研究了工艺参数中的衬底温度、压强和溅射功率对tio2薄膜的沉积速率的影响,利用场发射扫描电镜(FESEM)、X射线衍射仪(XRD)和椭圆偏振光测试仪表征了样品的表面形貌、结构和膜厚,实验结果表明:利用DMS制备薄膜为单一的的锐钛矿结构,表面组成颗粒均匀。随着沉积温度的增加,薄膜的沉积速率从100℃的2.16nm/min增加至400℃的4.03nm/min;压强增加,薄膜的沉积速率降低,0.75Pa、1.5Pa和3.0Pa条件下的沉积速率分别为4.48nm/min、3.18nm/min和2.42nm/min;溅射功率增加,沉积速率提高,100W、295W和443W对应的沉积速率分别为2.95nm/min、3.18nm/min和7.50nm/min。最后用TFC膜系设计软件在玻璃基底上设计了双层tio2薄膜,利用设计结果制备了薄膜,实验值和理论设计结果非常吻合。

摘要：介绍一个综合化学实验:采用溶胶-凝胶法,钛酸四丁酯做钛源,乙酰丙酮作为螯合剂,制备锐钛矿纳米二氧化钛。实验结果表明,改进的溶胶-凝胶法,操作简单,制得的纳米二氧化钛为锐钛矿晶型,分散度较好。本实验有利于促进学生对纳米合成技术的深入了解,培养和激发学生的创新能力。

摘要：得到了锐钛矿tio2半导体的原胞结构,用Cu原子置换tio2原胞中的钛原子,并进行几何优化.通过对能带、 态密度的分析,发现在掺杂Cu后,禁带宽度和价带均变窄,导带变宽,价带在费米能级附近出现特别的峰.掺Cu入tio2中不仅由Cu的3d态电子产生了杂质能级,同时引起了tio2的晶格畸变,光催化性能增强,光响应范围扩展至668.2 nm.

摘要：采用基于密度泛函数理论(DFT)的第一性原理平面波赝势方法(PWPP),以Material Studio中的CASTEP软件对Batio_3(001)面外延诱导tio_2(001)晶面生长进行第一性原理计算,讨论了Batio_3(001)面外延诱导tio_2(001)晶面生长的晶体结构、带隙、态密度的影响.结果表明:Batio_3(001)面外延诱导tio_2(001)晶面生长可以使锐钛矿tio_2晶体的禁带宽度减小,有效提高了锐钛矿tio_2的光催化活性,可为tio_2光催化材料的设计和制备提供新的视角.