摘要：由于传统驱动下碳化硅(SiC)MOSFET受高开关速度特性及寄生参数影响,桥臂串扰现象更加严重,而现有抑制串扰驱动电路又往往会增加开关损耗、开关延时和控制复杂程度,因此本文结合驱动阻抗控制与负压关断的串扰抑制方法,提出一种改进门极驱动电路。首先,阐述串扰现象产生原理及其典型抑制方法。其次,在负压关断前提下,基于控制辅助三极管开断,降低串扰产生过程中驱动回路阻抗的思想,提出一种在栅源极增加三极管串联电容新型辅助支路的改进驱动方法,并分析其工作原理,研究改进驱动电路关键参数设计原则。最后,搭建双脉冲测试实验平台,在不同驱动电阻、输入电压、负载电流条件下对改进驱动电路设计的有效性进行验证。结果表明,传统驱动下SiC MOSFET桥臂串扰现象明显。相比典型抑制串扰驱动电路,提出的驱动方法在有效抑制串扰同时,减小了开关损耗与开关延时。

摘要：将绝缘栅双极型晶体管(IGBT)关断过程分解为多个阶段,对IGBT关断过程中电压上升和电流下降采取分阶段电容耦合反馈从而独立控制dv/dt和di/dt,实现电磁辐射和关断电压反峰的双重约束。基于Pspiece模型仿真出不同反馈电容及门极电阻下的开关损耗和关断电压反峰,绘制出了相互之间的关系曲线,同时提出了一套优化系统参数的计算方法。选取英飞凌FS400R07A1E3_H5型IGBT模块,设计出了具备电容反馈的驱动电路,实验结果表明:在通过IGBT电流为400A的情况下,采取电容反馈的驱动电路将反峰电压降低80V左右,模块温升有所降低,验证了本文方法的正确性。

摘要：二极管中点钳位NPC(neutral point clamped)三电平逆变器具备较低的开关应力、谐波分量和较好的抗干扰能力,促使其成为光伏、储能等新能源领域DC-AC变换器的主要拓扑之一。针对大功率应用场景中普遍采用的NPC三电平IGBT功率半导体模块开展研究,分析NPC三电平功率模块的换流回路,并据此给出对应换流回路的寄生参数精准仿真评估方法。依据换流回路寄生参数最小原则,设计适用于NPC三电平功率半导体模块的动态特性测试电路。根据换流回路以及电路工作原理,设计NPC三电平功率模块的驱动电路,并给出增强驱动电流、防直通及死区时间可调的驱动方案。最后,通过对NPC三电平IGBT模块的动态测试,详细评估了不同工况下功率器件的动态损耗。

摘要：在开发可靠并具高成本效益的电动机控制系统时，设计工程师需要能够提供更多保护、更高效益并且能够在高噪声环境下运行的光电耦合器。Avago Technologies（安华高科技）宣布推出了智能型门极驱动光电耦合器产品——ACPL-332J和-331J系列高速绝缘栅双极晶体管（IGBT）光电耦合器非常适于工业逆变器和电源管理应用，如隔离式1GBT／功率MOsFET门极驱动、交流和无刷直流电动机驱动、工业用逆变器和不断电系统等。

摘要：可以在延伸温度范围下工作的2．5A门极驱动光电耦合器ACPL-312U适合隔离IGBT／高功率MOSFET栅极驱动、工业变频器、交流和无刷直流电机驱动以及不间断电源应用设计。

摘要：前不久深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(PI)推出了一款SCALETM EV系列门极驱动板,该驱动板通过汽车级认证和ASIL B认证,可实现ASIL C/D牵引逆变器设计。值得一提的是,此新品为市场上首款唯一通过汽车级认证的门极驱动板,可大大减化汽车厂商的认证流程。SCALETM EV支持耐压达1200V的IGBT或SiC MOSFET模块产品。

摘要：为了解决GaN MOSFET门极驱动的高损耗问题,对比分析了传统驱动和谐振门极驱动电路,提出一种新型谐振门极驱动电路,通过建立数学模型、LTspice仿真分析以及实验验证所提出门极驱动电路的正确性.其基本原理为利用谐振原理在开关管关断过程中通过L将存储在C中的能量反馈到电源中,使能量得到有效利用,从而减小功率损耗.结果表明:GaN MOSFET开通和关断的时间分别为12 ns和16 ns,能够实现开关管的快速开断;新型谐振驱动电路的门极损耗比传统GaN MOSFET驱动电路的损耗减小了55.56%,比普通谐振驱动电路的门极损耗减小了35.66%.

摘要：设计了并网逆变器以及电力电子变压器中SiC MOSFET功率器件的驱动电路,搭建了用于测试驱动电路的双脉冲测试平台,并且介绍了谐振门极驱动电路的工作原理、特点以及优势;还对电网中SiC MOSFET的过电流保护原理进行了详细分析,进而给出了两种过电流保护方案,并且论证了两种方案的可行性。最后,介绍了几种常见的SiC MOSFET在电网中的应用实例,并对其应用进行总结与展望。

摘要：本文通过对GTO晶闸管门驱动要求的分析,给出了其驱动电路及供电电源的设计方法。

摘要：根据改变IGBT门极驱动电阻可以改变其开关速度的特性,设计出通过改变门极驱动电阻使IGBT串联有效均压的一种方案.此方案利用三极管、电阻、稳压管构成电路拓扑.当IGBT过压或接近过压时,通过检测电路将集射极电压反馈给门极驱动电阻选择电路,驱动电阻选择电路增加门极驱动电阻,从而改变集射极电压变化的速率,使得IGBT均压.仿真分析表明,此串联均压电路能够有效地平衡串联IGBT的电压.