摘要：本文介绍了作者利用FPGA设计的大容量闪存控制器.该控制器采用VHDL进行设计,并用Altera公司的EPF10K20器件完成硬件电路.它的主要功能足用硬件实现NAND型闪存复杂的读、写及擦除时序,简化了外部接口,提高了读写速度及工作可靠性.该控制器可以用于海量数据采集系统中.

摘要：IDT公司宣布，已推出业界首款对PCIe Gen3提供内部支持的NVME xpress（NVMe）企业级闪存控制器。IDT的NVMe闪存控制器系列可提供基于标准的固态驱动（SSD）解决方案，从而帮助存储和服务器原始设备制造商克服传统SAS／SATAbased的SSD设计所固有的延迟和吞吐量瓶颈。

摘要：新闪存控制器系列拥有两个版本：16通道PCIe×4Ge113（89HF16P04AG3）和32通道PCIe×8 Gen3（89HF32P08AG3）。闪存控制器专为完全遵从NVMe标准而设计，该标准针对PCIeSSD定义了最优化的寄存器接口、指令集和功能集，旨在帮助实现基于基于PCIeSSD产品的广泛采用，并提供一个可扩展的接口以实现SSD技术现在和将来的性能潜力。

摘要：2010年1月7日，触摸及微控制器之解决方案的领导厂商爱特梅尔公司宣布推出SAM3S产品系列，包括18种通用的基于Codex（B）．M3之闪存控制器，这些器件能够改善阻抗匹配、简化PCB设计，并可在1MHz工作频率下节省功率50％，功耗仅2．3mw。而在64MHz的最高工作频率下，

摘要：SAM3S是基于高性能32位ARMCOrtexM3 RISC处理器的闪存微控制器，提供系统控制、传感器接口、64～256KB闪存选项、一个可选外部并行总线接口、连接能力和用户接口支持等处理能力和功能。SAM3S产品系列包括18种通用闪存控制器，这些器件能够改善阻抗匹配、简化PCB设计，

摘要：Atmel推出SAM3S产品系列，包括18种通用的基于Cortex-M3的闪存控制器。这些器件能够改善阻抗匹配、简化PCB设计，并可在1MHz工作频率下节省功率50％，功耗仅2．3mW。而在64MHz的最高工作频率下，该器件的功耗为1．45mW。SAM3S是爱特梅尔基于高性能32位ARMCortex-M3RISC处理器的闪存微控制器系列的成员，SAM3S系列扩大了应用机会，包括消费品、工业控制、仪表、玩具、医疗、测试和测量、802．15．4无线联网、PC、蜂窝电话和游戏外设等。

摘要：NAND闪存控制器解决方案基于基于超低功耗PolarPro和Eclipse Ⅱ可编程逻辑器件，专为用于便携式应用的各种应用处理器而设计，例如Marvel PXA2xx应用处理器系列和BlackfinDSP系列，同时支持Linux和WinCE软件驱动程序。

摘要：2014年12月23日，台北-在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技（silicon Motion Technology Corporation，纳斯达克交易代码：SIMO）近日宣布推出其专为车载信息娱乐（IVI）系统设计的汽车级PATA及SATA FerriSSD解决方案。

摘要：IDT@公司推出针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘（SSD）和电脑主板的低功耗、高精度温度传感器产品系列。这些新器件进一步补充了IDT的PCI ExpressTM、信号集成、闪存控制器、电源管理和时钟产品,从而提供更加丰富的应用优化型企业计算解决方案。

摘要：2014年12月，在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技在台北宣布推出其专为车载信息娱乐（IVI）系统设计的汽车级PATA及SATA FerriSSD解决办案。FerriSSD解决方案旨在代替以往被广泛应用在车载IVI系统等嵌入应用中的SATA及PMA硬盘驱动器。