摘要：基于130 nm BiCMOS(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺提出一款超宽带低附加相移可变增益放大器.该设计采用可变增益放大器和开关衰减器的组合结构,其中可变增益放大器在宽带、高效率的反馈式放大器的基础上通过改变偏置实现增益控制,而开关衰减器的应用在拓宽增益控制范围的同时减小了偏置变化范围,从而减小了不同增益状态下的附加相移.提取版图寄生参数后的仿真结果表明:在1.6 V供电电压下,该可变增益放大器在3.5~11 GHz范围内增益平坦度小于±0.75 dB,增益控制范围为-22~10 dB,增益步进值为0.5 dB,噪声系数小于6.5dB,不同增益状态下的附加相移小于±5°,电路输出1 dB压缩点大于12 dBm,动态功耗小于155 mW.该可变增益放大器拓扑在满足项目需求的同时为减小可变增益放大器的附加相移提供了一种思路.

摘要：为了使衰减器更好的适应相控阵系统对高集成度波束赋形电路的应用需求;基于55 nm CMOS工艺,设计了一款具有低插入损耗、低附加相移特性的六位数控衰减器,该数控衰减器采用桥T和π型衰减结构级联而成,在10~26 GHz频率范围内实现步进为0.5 dB、动态范围为0~31.5 dB的信号幅度衰减;为减小插入损耗,NMOS开关采用悬浮栅和悬浮衬底连接方式,同时采用了电容补偿网络和电感补偿以有效降低附加相移;仿真结果表明,在10~26 GHz的频带范围内,该数控衰减器的插入损耗小于-7 dB,输入/输出回波小于-10 dB,附加相移小于±3°,所有衰减态的衰减误差均方根小于0.8 dB,芯片的核心电路面积为0.36 mm×0.16 mm。

摘要：讨论红外相位测距系统的测距精度及误差来源，对系统的合理化设计、正确使用及系统检验是非常重要的。本文就系统几项影响较大的误差进行定性、定量分析，并提出改进措施．