摘要：FireBox网络在线病毒隔离器是艾迪普数码自主研发的一套基于硬件隔离和交换技术，用于不同网络之间文件交换的安全防护系统。通过对通信传输文件的深度检测算法和事务处理机制．采用特殊文件编码，确保文件的安全传输。采用高质量的硬件和设计完善的检测软件．可对交换传输数据进行快速的甄别．并可通过文件后缀名对文件进行过滤．同时还能分析文件的特征判断文件内容是否符合传输要求等。

摘要：机械工业仪器仪表综合技术经济研究所（仪综所）传感与网络控制中心在执行2014年院所开发项目（编号：2014EG119050）的过程中，通过对工业通信网络信息安全防护、诊断和隔离技术以及主流工业以太网PROFINET协议的深入分析研究，经过韩丹涛工程师、赵艳领工程师和闫晓风工程师等技术人员的不懈努力，设计开发了“工业以太网PROFINET安全隔离器”设备，该设备的嵌入式软件目前已获得国家软件著作权。

摘要：阐述现有隔离驱动电路的特点,针对性地提出采用隔离芯片的设计,可以有效地降低设计难度,减少PCB布板的面积,提升隔离驱动电路的可靠性。

摘要：设计了一种WDM ISO TAP混合器件 ,该器件集成了波分复用 (WDM)、隔离器和分光耦合三种功能 ,可以用于掺铒光纤放大器的后向泵浦。对该器件的加工和装配误差进行了分析 ,并参照现有器件水平 ,估计了该器件的性能指标。该器件具有体积小。

摘要：设计了一种没有隔离器的单壁碳纳米管双向被动锁模光纤孤子激光器.该光纤激光器由波分复用器、掺铒光纤、光耦合器、碳纳米管、单模光纤和偏振控制器组成.在环形腔的两个相反方向上,同时实现基于碳纳米管饱和吸收体的被动锁模,得到两个反向稳定脉冲序列.调节激光腔中的偏振控制器以及泵浦激光源,分析该实验装置在不同泵浦功率下的输出特性.结果表明,中心波长变化范围为1 558～1 560nm,顺时针脉冲宽度变化范围为854～959ps,逆时针脉冲宽度变化范围为247～624ps.此外,泵浦功率较大时,逆时针方向上脉冲序列分裂.

摘要：对于二元高超声速进气道内压缩通道及隔离段设计,提出了进气道下壁弧形曲面构型方案。在一系列不同收缩比、不同波系配置的平面构型进气道基础上,通过基于N-S方程的数值模拟研究了不同半径的弧形过渡曲面对进气道性能的影响。发现采用弧形曲面过渡可以削弱平面构型方案对气流不必要的膨胀,减小隔离段进口处上侧壁面高压,改善隔离段进口气流均匀性。新构型有助于降低起动马赫数,且弧形过渡半径越大,收缩比越大,降低的程度越明显;还可以大大提高进气道的总压恢复,无须最后一道内压激波打在下壁面肩点上即可获得较高的性能。

摘要：针对超燃冲压发动机隔离段的非均匀进口条件设计了隔离段实验风洞,通过测量隔离段壁面压力和拍摄流场纹影照片研究了矩形隔离段内激波/紊流附面层相干流场。研究发现,隔离段进口的非均匀流使隔离段流场压升特征与附面层发展规律与均匀进口的隔离段流动有显著差异。用截面当量直径取代Waltrup公式中的圆管直径可以取得较好的吻合效果。在进口马赫数小于2时,升高同样的压力,非均匀进口隔离段产生的激波串长度比Waltrup公式预测的长度要长。纹影仪观察发现隔离段内激波存在严重的振荡现象。

摘要：介绍了一款L波段隔离滤波组件的设计方法,通过带线结型隔离器和低通LC滤波器进行组合设计实现对发射机二次和三次谐波杂散的有效抑制,同时采用耐功率设计,大幅提升了隔离滤波组件的功率容量。借助AWR和HFSS仿真软件,建立了隔离滤波组件一体化仿真平台,有效提高了组件设计小型化与精准性。测试结果表明,在L波段,组件的正向损耗为0.39 dB(常温)、0.45 dB(-40^+85℃),平均承受功率≥500 W,峰值功率为2500 W,二次谐波抑制达到65 dBc。

摘要：单负材料所具有的电磁禁带特性可应用于阵列天线中降低天线单元间的互耦.文中研究设计了一种电单负材料结构单元ENG-APSL,采用等效电路和波导传输法分析了ENG-APSL的电磁特性,并提取等效参数.然后,将基于ENG-APSL单元构成的隔离器用于抑制微带阵列单元间的互耦.研究表明,天线阵列单元间距为0.37λ_0(λ_0为天线工作频率波长)条件下,加载隔离器后天线阵列单元的E面耦合度降低了21dB,并且在工作频率(5.1GHz)附近隔离度大于25dB的带宽达到5.1%.同时,该隔离器具有结构简单、尺寸小的突出优势.

摘要：开展了一种基于MEMS工艺的微波/毫米波薄膜负载电阻的结构设计和工艺实现,该负载电阻选择TaN作为薄膜材料,高阻硅为基底材料,仿真设计并优化了三种新型结构,给出了一套MEMS TaN薄膜负载电阻制备的工艺流程,并针对该工艺流程方案进行了关键参数的工艺误差仿真,实现了适用于20~40 GHz频率内的三种MEMS TaN薄膜负载电阻的工艺制作和测试。测试结果表明,结构一、结构二和结构三的回波损耗分别小于-22,-18和-18.5 dB,并将结构一成功运用于32~34 GHz毫米波频段内的MEMS隔离器,MEMS隔离器的隔离度大于25 dB,插入损耗小于0.5 dB。MEMS TaN薄膜负载电阻具有很好的负载吸收功能,适合微波/毫米波通信发展需求。