摘要：为系统研究n型TOPCon电池的背表面掺杂特性,设计专门的材料结构并进行掺杂浓度分布及背表面暗饱和电流密度值的测试。结果表明,当多晶硅(Poly-Si)层的设计厚度为100 nm,掺杂浓度为(2~3)×10^(20)/cm^(3),且当激活的磷掺杂源穿透SiO_(x)层并在Cz-Si基体中具有一定的"穿透扩散"剖面时,电池背表面的钝化效果达到最优值,使得背表面暗饱和电流密度值J;小于2.5 fA/cm^(2),达到目前行业的先进水平,同时基于最优的背表面钝化结果进行电池制作,电池平均转换效率超过22.43%。

摘要：该文基于海南某小型光伏电站测试项目,收集p型和n型2种光伏组件在2021年的发电量数据,对比分析这2种组件在不同月份下的单瓦日均发电量,验证n型光伏组件相较于p型组件发电效率方面的优越性。在光伏电站实际工作条件下测试辐照度和温度对2种组件发电性能的影响,结果表明:n型光伏组件弱光性能更好;在高温条件下有更多的发电量增益,证明n型光伏组件的热稳定性更好,与理论上n型光伏组件功率温度系数更小相符。通过研究2种组件在不同天气下的直流功率,发现n型光伏组件在辐照度突降的情况下也保持优越的发电性能。

摘要：隧穿氧化物钝化接触(TOPCon)技术已成为当前产业化高效太阳电池的重点研究方向之一。报道了可应用于规模化生产的n型双面TOPCon太阳电池技术,对前表面SiO_2/多晶硅钝化层进行了优化设计。为了有效降低接触电阻,太阳电池的背表面采用了全面积SiO_2/多晶硅钝化层结构;为避免多晶硅层对太阳光的寄生吸收,仅将SiO_2/多晶硅钝化层应用于前表面金属接触的底部。J-V特性和少子寿命等分析显示,双面TOPCon结构设计显著提升了太阳电池的表面钝化接触性能,其开路电压和短路电流密度显著增加。所制备的面积为239 cm^2的双面TOPCon太阳电池的平均正面转换效率可达20.33%,相对正面无SiO_2/多晶硅钝化层的常规钝化发射极及背表面全扩散(PERT)结构的太阳电池转换效率提升了0.29%。

摘要：阐述采用交替位线或者位线钳位的方式,能显著的改善或者消除由于线间耦合带来的编程干扰问题。相对而言,采用位线钳位的方式能够彻底消除耦合效应,但也需要付出一定的面积代价。因此,可以根据实际的情况选择更合适的方案来消除编程干扰的问题。

摘要：本文利用Quokka3软件研究了采用TOPCon技术的n型PERT太阳电池(下文简称“TOPCon-n-PERT太阳电池”)发射极的饱和电流密度、发射极-金属接触电阻率、背表面隧穿氧化层厚度及背表面饱和电流密度对其电性能的影响,并设计了相关实验对模拟结果进行了验证。验证结果表明:发射极和背表面的饱和电流密度值的增加均会使电池的光电转换效率和开路电压值逐渐减小;发射极-金属接触电阻率值的增加会导致电池填充因子的值降低;对于背表面的隧穿氧化层与掺杂多晶硅薄膜的叠层结构而言,随着背表面隧穿氧化层厚度逐渐增加,背表面的隐开路电压i-Voc值呈先增加后减小的趋势,且当背表面的隧穿氧化层厚度为1.2 nm时,背表面的钝化特性达到最优值,实验得到的i-Voc值可达735 mV。同时,结合实验结果与理论模拟结果可知:当背表面隧穿氧化层厚度为1.2 nm时电池获得最优的电性能参数。该研究结果对于TOPCon-n-PERT太阳电池的产业化推广具有重要的指导意义。