摘要：研究了在InGaAs/InP DHBT中,组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响.提出了有效过渡层的概念.在组分非连续渐变的结构中,有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中.对不同的Kirk效应条件,给出了最大掺杂浓度、最大Kirk电流密度以及相对应的δ掺杂浓度的公式.最大集电极掺杂浓度和最大Kirk电流密度都依赖于δ掺杂层.优化δ掺杂能大幅度提高器件的Kirk电流密度.

摘要：瞬态电压抑制器是一种用来保护芯片的分立器件,它能有效避免芯片受到高能瞬态脉冲的损坏。目前,静电损伤已经成为造成电子设备损坏的一个主要因素,为了能更好更有效地保护芯片,需要瞬态电压抑制器将高能脉冲钳位在一个对其本身和芯片都没有损伤的电位下,同时尽快将电流通过瞬态电压抑制器自身泄放掉。本文通过结构设计的改进,对一种常用的平面结构单向瞬态电压抑制器的反向三极管进行优化,通过TLP测试,并结合Tsuprem4、Medici的模拟和理论分析显示,这种改进方法使得瞬态电压抑制器具有了更强的抗静电放电的能力,从而可以更好地保护电子设备。

摘要：高频功率放大器是无线电发射机中的重要单元电路,也是高频电子线路教学中最基本的实验课题.为了进一步研究电源电压与集电极负载对功率放大器功率和效率的影响,我们设计出方便调整与测试的电路--高频丙类谐振功率放大电路.

摘要：(一)工作原理簡介在进行电解加工时,常常因为电解液中有杂厦或其他原因造成加工間隙局部短路,但由于有高压电解液(一般是十几个大气压),从間隙冲出,这种短路往往是瞬时的(加工时也不允許较长时间短路。

摘要：通过功率合成器将Ｅ类放大器的输出功率叠加起来,作为高效的大功率ＲＦ发射机的功率输出源;对Ｅ类放大器的工作特性和同相功率合成网络的隔离、合成特性进行了分析,在最佳工作条件下,导出了集电极电流、集电极 -发射极电压波形和负载网络参数;给出了千瓦级同相功率合成实用电路,为ＲＦ发射机的设计提供了参考依据。

摘要：本文分析了影响双极型晶体管(BJT)的正向安全工作区(FBSOA)的要素,提出了FBSOA保护的思路和方法,设计了一个能考虑安全工作区(SOA)热效应特点的保护电路,在STMicroelectronics公司的BCD工艺下,该电路的功耗为6mW(当电源电压为20V时),面积为0.12mm2,工作温度范围为-40℃～160℃。

摘要：I2C是一种流行的串行协议,适用于电源控制器、ADC、DAC、EEPROM以及其他器件.在某些数据采集和电源控制设备中,您必须把I2C主设备与一个或多个从设备隔离开来,以便解决噪声、接地和安全等问题.另外,虽然可以把128个外设连接到总线,但在某一部位,地电位差和总线电容过大会使噪声余量和定时余量变小.

摘要：为防止盗贼入室人们大多在窗外安装防护栏。这种方法既不美观也不具有自动报警功能。一旦出现火灾，防护栏还会把主人封在室内出现人为的险情。据此本人设计了一种可替代传统防护栏的红外线探测报警装置。它可适用于门窗及仓库内部等多种环境，一旦盗贼进入防区遮挡红外光线后，就能自动发出报警声。使用该装置不需要封窗，可省去安装防护栏的大笔开支，既经济实用又不影响美观。

摘要：人眼对光亮度很高的非线性响应会给可调照明设计者带来问题.简单的硬件或软件线性控制方法将大部分视在亮度变化压缩到调整范围的一个较小部分内,因此需要有很强的非线性控制特性.这种非线性控制特性将亮度调整扩展到一个较宽范围内,提供一种更为自然的感觉.本设计实例介绍如何用一个廉价线性电位器来开发一种令人满意的硬件技术.在暗室实验中,由于有固定的屏障遮蔽安全灯,因此房间的一个角落很暗.利用从废料箱中检到的废弃元件,您可以组装一个简单的红色LED辅助安全灯,如果灯亮度可调,您还可以调整灯的亮度并减少打印纸生雾的风险.但这种情况下的实验缺少音带密集度控制电位器,并可能需要买一个.