摘要：本文设计了一种新型栅控双向可控硅晶闸管(GDDSCR)防护器件,用Rx元件代替可控硅晶闸管(SCR)的触发面来模拟SCR的触发和保持行为,实现了一种用于静电放电(ESD)防护的SCR宏模型.基于0.18μm BCD工艺制造的GDDSCR器件的传输线脉冲(TLP)测试结果与模型仿真结果的触发电压误差为0.008V,维持电压误差为0.006V.实验结果表明建立的SCR宏模型能够有效地模拟SCR器件在ESD应力下的物理机制.该宏模型以直.接的方式从被保护电路中使用的相同SCR结构中提取相关参数,大大提高了建模效率,消除了传统SCR模型仿真过程中存在的收敛性问题,对ESD保护电路的设计与验证具有重要意义.

摘要：基于高压CMOS工艺,对高压栅极接地N型金属氧化物半导体(Highvoltagegrounded-gate N-metal-oxide-semiconductor, HV-GGNMOS)的静电放电(Electrostatic discharge, ESD)防护性能进行研究。由于强折回特性以及失效电流低,HV-GGNMOS在实际应用中受到限制。本文通过计算机辅助设计技术仿真及传输线脉冲实验研究了工艺参数及版图结构对器件ESD防护性能的影响。结果表明,增加漂移区掺杂浓度可以有效提高器件失效电流;加强体接触和增加漂移区长度可以提高器件的维持电压,但失效电流会有所下降,占用版图面积也会更大。

摘要：在到达纳米级工艺后,传统的静电放电防护(ESD)电源箝位电路的漏电对集成电路芯片的影响越来越严重。为降低漏电,设计了一种新型低漏电ESD电源箝位电路,该箝位电路通过2个最小尺寸的MOS管形成反馈来降低MOS电容两端的电压差。采用中芯国际40nm CMOS工艺模型进行仿真,结果表明,在相同的条件下,该箝位电路的泄漏电流仅为32.59nA,比传统箝位电路降低了2个数量级。在ESD脉冲下,该新型ESD箝位电路等效于传统电路,ESD器件有效开启。