摘要：带电器件模型(CDM)静电放电描述的是器件自身出现静电感应带电进而形成静电放电冲击的过程,是航天器电子产品地面电装/装联过程中面临的主要静电放电风险之一。针对CDM静电放电开展等效电路模型研究与设计,对其充/放电原理及发生过程进行分析;对该等效电路模型进行理论、实验与仿真研究,考察各参数对静电放电波形特性的影响。比对验证表明,等效电路的放电波形与标准波形具有较高的一致性:CDM静电放电表现为上升沿为百ps量级、最大峰值电流为数A量级、正/负周期多次振荡的冲击信号;器件自身等效电容越大则冲击脉冲越强,通路电阻也会明显改变静电冲击波形样态。地面操作中应充分考虑CDM静电放电风险,采取措施降低静电放电对电路和器件可能造成的损伤。

摘要：针对大规模、超大规模集成电路应用背景下电子产品生产制造过程中的静电防护问题,本文在简要分析静电产生与静电放电、静电对电子产品的危害后,重点讨论了电子产品生产制造过程中的静电防护。从生产车间的接地系统设计和生产作业过程的静电防护两个方面,介绍了通过防静电地线的铺设、防静电地坪的使用、人体静电防护、生产过程中静电装备选用、生产现场静电防护、储运过程静电防护和静电监测与日常监管等途径,就做好高组装密度下电子产品生产制造过程中的静电防护工作提供了具体方案。

摘要：研究了FOD在输入、输出和电源箝位部分ESD的工作特点,在0.18μm5V EEPROM CMOS工艺下流片、测试并分析了针对输入、输出和电源箝位的三种主流的ESD保护FOD器件,通过传输线脉冲测试仪的测量,重点分析了特征尺寸对器件ESD特性的影响及其设计方法。结果表明:影响FOD的ESD性能的主要因素是沟道长度、漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离;增加沟道长,可适当提高FOD的ESD开启电压,但是会降低ESD防护性能;增加FOD的漏极长度和漏极接触孔到有源区的距离,可以提高FOD的ESD防护性能。提出了一种新型的浮体多晶硅岛屿型FOD结构,该结构不但结构简单,而且具有良好的ESD防护性能。

摘要：在分析了可控硅发火机电路系统工作原理的基础上,提出了对可控硅发火机部分电路系统进行重新设计。在新电路系统下,火箭弹两极间形成了一条短路通道,具有了短路保护功能,增强了火箭弹在待发状态下的抗静电能力。

摘要：变电站电源监控系统控制器用于监控直流屏工作状态,以及对蓄电池进行维护管理。控制器使用现场电磁环境较复杂,通信线缆多,由于静电感应及人体触摸,经常会受到静电干扰。从产品的软硬件设计方面,论述了控制器静电防护的若干方法。

摘要：磁悬浮硬盘可以提高硬盘的转速,减少寻道时间,提高存取速度。但完全悬浮在空中的硬盘会因与空气的高速摩擦而产生静电,危害硬盘信息存储的安全性。这里针对研究开发磁悬浮硬盘技术中的静电干扰问题,提出了安全可靠的解决办法。

摘要：在电子元器件，组件和设备的生产，制造和使用过程中，通过各种防护手段，防止因静电的力学效应和放电效应而产生或可能产生的硬击穿或软击穿，并进而导致整机性能的下降或失效，所以静电防护设计的目的是控制静电放电，防止静电的发生或将静电放电能力降到所有静电敏感地元器件的损害阈值以下，以确保产品质量。

摘要：针对危险品仓库静电带来的相关危害 ,对照不同消除静电的方法 ,依据静电接地设计的基本原理 ,并结合实际中的应用情况 ,讨论了静电防护接地系统的设计思路 ,给出了主要设计要素和相关的设计方法 ,同时也指出了静电防护接地系统的局限性。

摘要：针对金属硅化物亚微米工艺,研究当静电自保护输出驱动中NMOS器件的栅极处于不确定电压时的静电防护能力.在0.35μmCMOS工艺下,设计不同尺寸的NMOS静电防护器件,采用传输线脉冲(TLP)测试系统测量NMOS器件在不同栅压下的电流-电压曲线.借助半导体器件仿真软件ISE-TCAD对器件进行瞬态仿真,得出在不同栅压下的电场强度分布.分析表明,栅压使得电流更趋于表面流动而降低NMOS静电防护器件的二次击穿电流.在设计回跳型栅极耦合NMOS静电防护器件时,辅助触发电路的RC时间常数应该控制在50ns左右.

摘要：静电放电是一种常见的自然现象 ,它对电子元器件、产品生产制造、组装的危害所造成损失是不可估测的。针对静电放电对电子产品影响这一特点 ,依据国内现行静电防护标准和同行业的静电防护的实践经验 ,对公司的电子车间进行了全方位静电防护设计。在探讨静电防护系统理论的同时也详细地介绍了的静电防护设计及应用。