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双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计
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《半导体技术》2012年 第8期37卷 603-607页
作者：孙尧 刘剑 段文婷 陈瑜 陈华伦上海华虹NEC电子有限公司上海201206 
为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和...
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