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一种非带隙结构基准源的设计及特性分析
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《固体电子学研究与进展》2008年 第1期28卷 105-108,113页
作者:陈华 周锋 李舜 严伟复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 
设计了一种非带隙结构的电压基准源,并对该基准源作了电源抑制特性的理论分析。这一设计在Chart-ed0.35μm CMOS工艺条件下流片实现,在3~110°C的温度范围内测试结果达到了17.4ppm/°C的性能。
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