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NVMMDS——一种面向非易失存储器的元数据管理方法
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《计算机研究与发展》2013年 第1期50卷 69-79页
作者:蔡涛 牛德姣 刘扬宽 李帅 鞠时光江苏大学计算机科学与通信工程学院江苏镇江212013 
元数据管理方法是影响文件系统性能的重要因素.针对现有元数据管理方法存在的查找性能低、适应性差和丢元数据等问题,设计了面向非易失存储器的元数据管理方法(NVMMDS).首先针对元数据的访问特性和管理要求,给出了NVMMDS的结构和元数...
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面向新型非易失存储器的文件级磨损均衡机制
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《计算机研究与发展》2015年 第7期52卷 1558-1566页
作者:蔡涛 张永春 牛德姣 倪晓蓉 梁东莺江苏大学计算机科学与通信工程学院江苏镇江212013 深圳信息职业技术学院信息中心广东深圳518055 
自旋转移力矩磁存储器(spin transfer torque random access memory,STTRAM)和磁阻式随机存储器(magnetic random access memory,MRAM)等新型存储器具有接近于DRAM的访问速度,是构建高性能外存系统和提高计算机系统性能的重要手段,但有...
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面向非易失存储器外存系统的缓存机制
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《小型微型计算机系统》2014年 第9期35卷 2187-2192页
作者:蔡涛 张永春 倪晓蓉 牛德姣 梁东莺 周东明江苏大学计算机科学与通信工程学院江苏镇江212013 深圳信息职业技术学院信息中心广东深圳518055 
非易失存储器具有接近于DRAM的访问速度,是构建高性能外存系统和提高大数据系统性能的重要手段,但非易失存储器存在写次数有限和写能耗较高等问题.本文引入缓存技术,使用写缓存合并对同一数据的多次写操作,减少对非易失存储器的写次数;...
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面向安全持久性内存的元数据协同管理方法
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《计算机研究与发展》2022年 第11期59卷 2437-2450页
作者:魏学亮 杨明顺 冯丹 刘景宁 吴兵 肖仁智 童薇武汉光电国家研究中心(华中科技大学)武汉430074 华中科技大学计算机科学与技术学院武汉430074 
新型非易失存储器是下一代计算机内存最具潜力的候选之一.基于非易失存储器构建持久性内存系统面临着2方面挑战:保证数据安全性、优化写操作.为此,现有工作提出加密和完整性检测技术以保证安全性,同时提出选择重加密策略以优化写操作....
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基于高性能SOC FPGA阵列的NVM验证架构设计与验证
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《计算机研究与发展》2018年 第2期55卷 265-272页
作者:刘珂 蔡晓军 张志勇 赵梦莹 贾智平山东大学计算机科学与技术学院山东青岛262000 
新型存储器(non-volatile memory,NVM)技术日渐成熟,延迟越来越低,带宽越来越高,未来将不仅有可能取代以动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)为代表的存储设备在主存中的垄断地位,还有可能取代传统Flash...
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图划分在混合内存系统的实现与性能优化
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《计算机学报》2019年 第11期42卷 2481-2498页
作者:李琪 钟将 李雪重庆大学计算机学院重庆400030 昆士兰大学信息技术与电子工程系布里斯班4072澳大利亚 
图划分是大图数据并行计算的基础,目前主要采用分布式算法实现大图划分.非易失存储器(Non-Volatile Memory,NVM)速度接近动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM),且具有低功耗、高密度、低时延等优点,本文针对分布式图划分...
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新型存储环境下事务型数据管理技术研究
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《软件学报》2017年 第1期28卷 59-83页
作者:潘巍 李战怀 杜洪涛 周陈超 苏静西北工业大学计算机学院陕西西安710072 
为适应底层存储架构的变化,上层数据库系统已经经历了多轮的演化与变革.在大数据环境下,以、大容量、低延迟、按字节寻址等为特征的新型非易失存储器件(NVM)的出现,势必对数据库系统带来重大影响,相关的存储与事务处理技术是其中...
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一种机载嵌入式设备故障记录机制的设计与实现
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《山西电子技术》2022年 第1期 26-27页
作者:李庆楠 宋丫 严琳 骞恒源航空工业西安航空计算技术研究所陕西西安710065 
机载设备非易失存储器存储的故障信息是故障排查的重要依据。当前机载设备往往采用事件触发的记录方式,该方式存在消耗时间动态范围宽、可拓展性不强,适用范围窄的缺点。本文设计实现一种故障记录机制,克服现有记录机制的不足。首先,...
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阳离子基阻变存储器的研究进展
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《中国材料进展》2017年 第2期36卷 81-87页
作者:刘琦 刘森 龙世兵 吕杭炳 刘明中国科学院微电子研究所北京100029 
基于电荷存储的传统存储技术越来越难以满足大数据时代对海量信息的存储需求,亟需发展基于新材料、新原理的存储技术。基于阳离子电化学效应的阻变存储器具有结构简单、速度快、功耗低、可缩小性好、于三维集成等优点,被...
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使用赛道存储单元的近阈值SRAM
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《微电子学》2016年 第3期46卷 398-401页
作者:孙忆南 刘勇攀 杨华中清华大学电子工程系北京100084 
利用在一个单元上可以存储多位信息的赛道存储单元,设计了在近阈值电源电压下工作的SRAM。通过恰当选择赛道存储单元的设计参数,并利用正向衬底偏压等技术,使其能在近阈值电源电压(0.5V)下可靠工作。该SRAM与电源门控技术...
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