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检索条件"主题词=饱和区"
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一种驱动MOS管工作在饱和区的硅基OLED微显示像素电路
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《液晶与显示》2016年 第1期31卷 97-103页
作者:戴爽 谢杉杉 陈鑫 杨春城 张健 赵毅 李传南吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林长春130012 
硅基OLED微显示中为了在极小的像素面积内实现微小的OLED工作电流,其像素驱动电路的驱动MOS管一般工作在亚阈值,存在OLED电流对驱动MOS管的阈值电压和栅源电压失配敏感、外围电路复杂等问题,如果驱动MOS管工作在饱和区则可避免这些问...
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一种采用饱和区MOS管作调节开关的电荷泵
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《半导体技术》2007年 第1期32卷 29-32页
作者:王少军 程珍娟 叶星宁电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 
为了得到稳定的输出电压,电荷泵电路需要通过负反馈系统进行控制。在传统的“Skip”模式电荷泵中,采用工作在线性的MOS管做开关,通过控制振荡器来调节输出电压,但这种方式会产生较大的输出电压纹波。设计了一种采用饱和区MOS管作调节...
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找平系统的饱和区对摊铺机自动找平性能的影响
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《筑路机械与施工机械化》2006年 第7期23卷 19-22页
作者:郁录平 侯峰长安大学陕西省高速公路施工机械重点实验室陕西西安710064 
采用自动控制原理中分析非线性环节的方法,分析了摊铺机找平系统传感器的饱和区特性对找平性能的影响,提出了考虑传感器饱和区时系统的设计原则。
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他举电路的分析与设计
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《辽宁大学学报(自然科学版)》1987年 第1期14卷 29-34页
作者:孙彦卿辽宁大学物理系 
本文分析他举电路的工作原理,给出该电路的n沟硅栅工艺设计方案,实验结果证明,该电路在驱动能力、工作速度等方面都是极好的。因此,可做为LSI和VLSI中的驱动电路。
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降雨条件下土质边坡入渗深度的估算
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《治淮》2015年 第7期 18-19页
作者:管宪伟 钱财富中水淮河规划设计研究有限公司合肥230000 安徽省.水利部淮河水利委员会水利科学研究院蚌埠233000 
本文主要利用入渗流量相等的原理,基于达西定律和土体基本性质,提出了降雨条件下土质边坡入渗深度的估算方法,并通过实例计算与降雨对边坡滑动类型比较验证了计算方法的合理性。
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用于反激式变换器的BJT功率管驱动电路的设计
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《电子元件与材料》2017年 第6期36卷 95-98页
作者:谢炜 冯全源西南交通大学微电子研究所四川成都611756 
为反激式变换器BJT功率管设计了一种驱动电路。针对电流镜复制的精确度,设计了运放、MOS管组成的深度负反馈环路和共源共栅结构对电路进行钳位,使电流精确复制到功率管基极;针对BJT管较慢的开关速度,配合数字控制,缩短功率管状态转换所...
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降雨入渗对边坡稳定影响的数值模拟研究
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《港工技术》2013年 第4期50卷 67-70页
作者:孙成科 李安乐 张宏明 徐小明中交第一航务工程勘察设计院有限公司天津300222 
根据粉细砂边坡的饱和—非饱和强度与渗流理论,通过数值模拟方法研究降雨入渗对边坡稳定性的影响。数值模拟结果揭示了对边坡变形和破坏的作用机理,表明降雨是诱发滑坡的关键因素之一;粉细砂边坡在无降雨时基本处于稳定状态,连续性降雨...
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