摘要：利用自主研制的SiC衬底的栅宽为2.5 mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了单级X波段氮化镓固态放大器模块.模块由AlGaN/GaN HEMT器件、偏置电路和微带匹配电路构成.采用金属腔体和测试夹具,保证在连续波下具有良好的接地和散热性能.利用双偏置电路馈电,并且采用独特的电容电阻网络和栅极串联电阻消除了低频和射频振荡.利用微带短截线完成了器件的输入输出匹配.在8 GHz频率及连续波情况下(直流偏置电压为Vds=27 V,Vgs=-4.0 V),放大器线性增益为5.6 dB,最大效率为30.5%,输出功率最大可达40.25 dBm(10.5 W),此时增益压缩为2 dB.在带宽为500 MHz内,输出功率变化为1 dB.

摘要：射频功率放大器是无线发射机的核心部分,本文在传统经典射频功率放大器理论研究的基础上,采用将经典E类功率放大器的射频扼流圈看做一般电感,采用新的设计方法,设计出了一款工作于2.4GHz频段的射频功率放大器。基于理想的设计方程,采用级联反向器驱动级,在TSMC0.18μm工艺环境下,设计出的伪差分放大器的饱和输出功率可达29dBm,PAE为63%。

摘要：为进一步提高射频功率放大器的效率与增益性能,设计一种工作在5GHz频率上的E类功率放大器。设计采用三级级联的D类功率放大器作为驱动级放大器,并包含一个工作在E类状态的cascode结构功率放大器,对负载回路进行负载牵引匹配优化。通过理论分析,使用Cadence软件Spectre对设计结构展开仿真。仿真结果得到器件在5 GHz及1.6 GHz~5.5 GHz区间的增益数据,证实设计具有很好的平坦度,同时得到功率附加效率、饱和输出功率的数值,证明其具有较好的线性度。本设计在5G通信技术领域具有重要应用及研究价值。

摘要：基于GaN HEMT工艺,对HEMT器件大信号模型进行研究,并设计了一款工作频率范围为42~46 GHz的功率放大器芯片。电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,各级选取合适的栅宽以满足功率、效率和增益等指标。芯片尺寸为2.70 mm×2.90 mm。芯片测试结果表明,在42~46 GHz内,饱和输出功率大于41 dBm,功率增益大于18 dB,功率附加效率大于30%。

摘要：新一代半导体材料GaN相比于Si、GaAs等材料,具有禁带宽、击穿场强高、热稳定性优异等特性,在宽带功放的设计中被广泛使用。基于CREE公司的两款GaN功率芯片进行级联,匹配电路为集中元件和分布元件混合,采用负反馈技术提高带宽,RC并联网络提高稳定性,设计了一款20 MHz^520 MHz的宽带功放。利用ADS软件对芯片模型和匹配电路进行优化仿真和实际调试,在20 MHz^520 MHz频段内,功放模块饱和输出功率大于9 W,增益大于29.5 dB,漏极效率高于40%,带内平坦度为±0.7 dB。

摘要：TN253 97053271 掺铒光纤放大器的实验研究=Experimental studiesof erbium-doped fiber amplifer[刊,中]/毛庆和,章河勇,张明德,杨祥林(东南大学电子工程系.江苏,南京(210018))//东南大学学报.—1996,26(3).—1—4利用国产1.48 μm泵浦LD和优质掺铒光纤,实验研究了掺铒光纤放大器的基本工作特性和结构设计,研制了一种掺铒光纤放大器,小信号净增益28 dB,噪声指数5.1 dB,增益谱宽大于20 nm,饱和输出功率和最大输出功率分别达4.8 dBm和1.1 dBm。图6参5(严寒)TN253 97053272光纤温度传感器高聚物传感介质的研究=Researchon the polymer sensitive medium for the opticalfiber temperature sensor[刊,中]/张鸿安。

摘要：根据微波晶体管的饱和输出特性和并联负反馈的宽带电路匹配方法，并采用模块化的设计方法，研制出3～6GHz微波宽带限幅放大器。该放大器应用厚膜、混合集成电路工艺，由多个限幅放大器模块级联组成，仿真结果表明。在3-6GHz频带内，小信号增益大于73dB，输入输出驻波比小于2．0：1，噪声系数小于4．5，在输入信号动态范围-50-0dBm时，饱和输出功率为6±2dBm。

摘要：产品概述华泰HA5100系列C—Band功率放大器主要为单频道或1～8个连续的带状频道（ITU波长）的应用而设计，具有噪声系数低、饱和输出功率大，适用中心局、分局和线路中继，也可用其他光纤通信网络，是CATV系统中应用最普遍，用量最多的一种光纤放大器。

摘要：摒弃原有的调试设计方法,采用ADS软件的负载牵引仿真,通过功率管的大信号模型提取频带内的输入输出阻抗,再根据所提取的阻抗参数设计输入输出匹配电路。通过调整输入输出阻抗匹配点,优化最佳的共轭匹配网络,设计出高功率输出模块。ADS仿真结果表明在2.5~2.7GHz频段上功率输出大于150W,小信号增益在16d B以上。根据仿真电路设计版图,加工安装模块,实测在2.5~2.7GHz频段上饱和功率输出大于155W,小信号增益大于16d B,与仿真结果有较好的吻合度。