摘要：随着开关频率的提高,同步整流变换器功率MOSFET管的开关过程及其驱动带来的损耗也愈发凸显出来,特别是在低压大电流应用中。为了降低这部分损耗,提出一种单电感双管谐振驱动技术,能够利用一个单电感驱动两个不共源极的功率MOSFET管。详细分析了工作原理和特性,给出了参数设计方法,并进行了仿真和实验,结果表明该驱动技术具有驱动损耗低、驱动速度快、抗干扰能力强、便于集成等优点,适用于高频高功率密度的同步整流功率变换器。

摘要：提出一种新型双功率MOSFET管互补谐振驱动电路,对电路的工作原理、性能特性和关键电路参数设计进行分析,并建立仿真和样机实验。该驱动电路由1个变压器和6个半导体器件组成,类似反激变换器的电路结构,并且以谐振方式工作。理论分析表明,该电路具有拓扑结构和控制简单、驱动损耗低、驱动速度快、驱动电路中的开关管实现了部分软开关等优点。仿真和实验结果验证了理论分析。

摘要：针对LLC变换器的控制管,采用谐振驱动电路(RGD);针对同步整流管,采用电流连续型的电流源驱动电路(CSD)。详细分析了RGD和CSD电路的工作原理、各部分损耗及谐振电感最优化设计。对于控制管,最优化设计为实现驱动损耗和关断损耗之间的平衡;对于同步整流管,最优化设计为实现驱动损耗和体二极管损耗之间的平衡。同时,设计制作了1 MHz同步整流半桥LLC原理样机,并给出实验结果。

摘要：提出了一种适用于常开型功率器件的谐振门极驱动电路,它利用辅助电感Lr来回收门极储存的能量,减小门极驱动损耗。同时利用辅助电容Cr来产生负压,使得常开型功率器件可靠关闭。详细介绍了所提出的谐振门极驱动电路的工作原理,分析了各个模态下电路的主要波形。最后搭建了谐振门极驱动电路的仿真模型和实验平台,通过仿真和实验验证了所提出的谐振门极驱动电路的可行性。

摘要：阐述了最近出现的几种器件的原理,诸如超级结型(Super Junction)MOSFET,IGBT和SiC(碳化硅)器件的发展趋势。所有这些器件都具有1000V范围的阻断能力,并适用于不同的领域。最新一代CoolMOS(低损耗MOS 场效应管)在额定脉冲电流容量下能兼有极高的通态导电率和超快的开关速度。其阻断电压能力可复盖由500～ 800V的范围。在许多应用场合,CoolMOS的杰出开关性能由于缺少能与动态特性相匹配的二极管而不能被利用。由于这个原因随之开发了一个完整的SiC二极管系列,以获得开关器件和超快二极管的理想配对。这种二极管的性能将在后面讨论。碳化硅开关器件表现出远胜于硅器件的性能。既有高阻断电压,又有低通态电阻率是SiC功率开关器件的最突出的特征。SiC器件最吸引系统设计人员之处在于其MOSFET和JFET能在阻断电压1800V下分别具有47mΩ·cm2和14.5mΩ·cm2的通态电阻率。为了用具体器件说明这些前景,我们将讨论通常为垂直型JFET结构的这类器件,其阻断电压高达1800 V,且通态电阻率为12mΩ·cm2。