摘要：分析了制作高功率连续激光反射镜材料的热性能、缺陷及其加工工艺，提出了制作高功率激光反射镜应考虑的几个关键问题：反射镜材料的综合热性能比值Ｓ，材料的微观结构、缺陷的大小和晶向的选择，以及加工工艺的设计。并介绍了实验结果。

摘要：通过设计优化二倍频晶体的参数,较好地补偿了基频光与倍频光在三倍频晶体中混频时产生的走离效应。通过设计优化谐振腔参数,增大了三倍频晶体处基频光束的光斑半径,使穿过三倍频晶体的基频光束接近平行,从而减小了三倍频晶体处基频光束的发散角,进一步提高了三倍频转换效率。当泵浦注入功率为96.8 W,脉冲重复频率为35 kHz时,355 nm紫外激光的平均输出功率最高为14.1 W,10 h的功率稳定性(均方根)优于0.9%,光束质量因子优于1.18。整个系统具有结构简单、平均功率高、功率稳定性高、光束质量好等优点,适合进行产品化开发。

摘要：提出了一种星载高功率波导低通滤波器的精确设计方法,将滤波器分布低通原型参数转换成广义阻抗变换系数,采用模匹配法等数值算法精确计算矩形波导中容性膜片的散射参数,进而获得其广义阻抗变换系数,然后通过插值,直接得到滤波器的所有结构参数.该方法避免了常规设计方法中对结构参数的反复调整,提高了设计效率和设计精度.设计并制作了1台2.5 GHz和1台22 GHz的矩形波导低通滤波器,典型性能为带内驻波比小于1.2,损耗波动小于0.15 dB,测试结果与设计数据一致,满足了技术指标要求.

摘要：在基于大模场面积的高功率光纤放大器中,随着放大激光功率的提升而出现的高阶模激发现象,将会导致放大激光的光束质量严重下降。以光纤模式的弯曲损耗特性为基础,研究了光纤弯曲半径对高功率全光纤放大器高阶模激发阈值特性的影响。搭建了掺镱全光纤窄线宽高功率主振荡放大系统,设计了不同弯曲半径的水冷光纤盘,进行了相应对比实验。通过优化光纤盘半径,成功抑制了高功率光纤放大器中的高阶模激发,得到了千瓦量级的近单模激光输出,在输出功率为1.31 k W时光束质量因子M2约为1.4。

摘要：研究高功率半导体激光器的光纤耦合和光纤输出端密排成线阵的技术。论述了微柱面透镜对高功率半导体激光器椭圆光束的准直原理 ,计算了剩余发散角 ,设计了光纤耦合器件和光纤输出端密排成线阵的夹具。这种方法耦合效率高 ,线阵中各激光元地址可设定 ,并可对各激光元输出功率进行调制。它作为能量型器件 ,可在激光显示技术 (LDT)和选择性激光烧结快速成型 (SLSRP)

摘要：高功率低噪声全固态连续波单频激光器在量子科学与技术、冷原子物理、高精度精密测量以及光学传感等领域有着广泛的应用。为了满足应用需求,在泵浦功率增大的条件下,需克服激光晶体热效应的影响,提高激光器输出功率,同时保持单频输出特性和光束质量不变,降低激光器在低频段的强度噪声并扩展激光器的输出波长等。针对这些关键问题,本课题组开展了原理研究和器件设计,研制出一系列具有不同输出波长的高功率低噪声全固态连续波无跳模单频激光器。总结和介绍了本课题组在高功率低噪声全固态连续波无跳模单频激光器方面的研究进展,并展望了单频激光器的发展趋势。

摘要：介绍了电阻分压器型负载的结构、分压原理和设计方法,分析了高频作用下趋肤效应对负载阻值的影响,计算了负载和真空腔内的电场强度分布以及负载的等效电感和等效电容,利用Pspice程序模拟了回路参数对输出信号的影响。对负载的分压比进行了标定,标定结果为7.59×10-5。为避免闪络现象的发生,设计加工接地金属套筒,用来降低负载阴极三结合点处的电场强度。负载工作电压幅值428 kV,电流幅值9.48 kA,工作阻抗45Ω,电压和电流波形与设计值符合得较好,满足设计要求。

摘要：作者综合评述了高功率半导体激光器的发展现状 ,对高功率半导体阵列器件结构进行了分析 ,介绍了设计高功率半导体激光器所涉及的关键技术。

摘要：设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构,采用分子束外延进行激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200μm、腔长800μm的半导体激光器。两隧道结激光器在脉冲宽度100ns,重复频率10kHz,30A工作电流下输出功率达到80 W,峰值发射波长为905.6nm,器件的阈值电流为0.8A,水平和垂直方向的发散角分别为7.8°和25°。

摘要：各种超宽带(UWB)及高功率应用中对天线辐射功率及辐射方向性需求不同。针对增大抛物面天线主轴前向辐射功率及改善方向性等问题,提出了一种双馈源半抛物面脉冲辐射天线。通过对多种馈电方式进行仿真和性能比较,得到一种辐射性能相对较优的双馈源焦距内馈电方式抛物面天线。仿真结果表明:这种由两个TEM喇叭辐射单元同时向抛物面馈电构成的反射面天线可以在抛物面口径内进行功率合成,形成峰值功率更高的电磁脉冲,以改善天线主轴方向的辐射增益及方向性。