摘要：设计并实现一种耦合式C型(coupled)高压电平位移结构,避免常用S型结构中LDMOS漏极高压互连线(HVI)跨过器件源侧及高压结终端时的两处高场区,以直接耦合式实现了高压电平位移和高低压隔离,且减小了芯片面积.借助Pwell,Nepi,P-sub所形成的JFET效应增加C型结构中隔离电阻;引入金属场板MFP,防止LD-MOS的栅、漏与高压结终端多晶场板短接.利用作者开发的高压SPSM CD工艺,成功研制出基于C型电平位移结构的1000V三相功率MOS栅驱动集成电路.结果表明,C型电平位移结构的最高耐压为1040V,较常用S型结构提高了62.5%,所研制的1000V电路可满足AC220V,AC380V高压领域的需要.

摘要：　高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路,高压集成电路的研究与发展,主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展。文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件,并对该器件结构进行了耐压分析,给出了该器件的击穿特性、等势线和电流线等模拟曲线。对不同参数模拟的曲线进行了分析和比较。结果表明,该结构具有比较高的击穿电压,并且工艺简单,受工艺参数波动的影响较小,不失为一种提高集成电路耐压的新途径。

摘要：本文提出了一种BCD工艺下实现的高耐压LDPMOS和VDNMOS功率器件互补结构,其优点是高低压兼容性好、耐压高、易集成。MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V,可应用于PDP高压驱动等高压集成电路。

摘要：为响应市场要求,降低高性能控制技术成本,寻求具成本效益的电机驱动系统的设计方案,设计人员正努力寻求小巧、耐用、电磁兼容性低的元件。高压集成电路(HVICs)即是这类高性能元件之一,该电路具有众多优异的特性,如保护性栅驱动、直流总线的软启动充电、电机相电流的线性传感等。

摘要：意法半导体推出专门为串联谐振半桥拓扑设计的双终接控制器芯片。新的L6599新增多种功能，如直接连接功率因数校正器（PFC）的专用输出、两级过流保护（OCP）、自锁禁止输入、轻负载突发模式操作和一个上电／断电顺序或欠压保护输入。新产品工作在50％互补性占空比下，插入一个固定的死区时间，以确保软开关操作。支持高频开关（最高500kHz），能效高，电磁干扰（EMI）辐射低。为了采用自举方法驱动上桥臂开关，新产品整合了一个能够承受600V以上电压的高压浮动结构和一个同步驱动式高压横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）器件，节省了一个外部快速恢复自举二极管。L6599为两个栅驱动器提供一个源出电流0．6A和灌入电流1．2A的典型峰值电流处理能力，

摘要：我们主要对高压集成电路工艺在等离子显示驱动中的应用进行具体的分析，讨论高压集成电路的工艺特性，对离子显示板中显示驱动的主要工作原理和内部结构进行研究，提出一种新型的BCD工艺，主要采用了新型的薄栅氧HV-nVDMOS和氧作厚栅HV-pMOS器件，这是一种扫描驱动集成电路，能减少传统工艺中的三个光刻版、一次氧化工艺、两次注入等，大大减轻了生产成本的预算，提高了经济效益，通过实验测试表明，HV-pMOS和HV-nVDMOS管的耐压性都在165V以上，完全符合系统设计的标准范围和数据要求。数据显示，当电源电压在负载200pF、90V时，PDP扫描驱动中芯片的下滑和上升之间的时间分别为30和165ns，这也进一步证实了芯片的驱动电流能力比较强大。

摘要：本文基于LDO的设计思想,设计了一款用于高压集成电路的LDO架构式的基准电路,使其具有宽输入范围的特性。同时,对于该基准电路,文中提出了两种补偿方式,通过增加前馈通路的补偿方式可以使得系统的带宽大大地拓展,从而减小基准电路的启动时间(小于5μs)。另外,在该基准电路的基础上增加了上电复位电路,从而提高系统可靠性。最后基于CSMC 0.5μm 600V BCD工艺对设计进行仿真验证。

摘要：整合了高压浮动结构和LDMOS器件L6599是一个专门为串联谐振半桥拓扑设计的双终接控制器芯片，工作在50％互补性占空比下，插入一个固定的死区时间，以确保软开关操作；支持高频开关（最高500kHz）、能效高、电磁干扰辐射低；整合了一个能够承受600V的高压浮动结构和一个LDMOS器件。

摘要：设计了一种高压抗噪声干扰MOS栅驱动电路,能有效抑制开关转换过程中产生的dv/dt噪声,消除高压电路工作过程中可能出现的误触发,提高系统的稳定性和可靠性.采用共模反馈从而使电路结构简单,同时采用窄脉冲触发式控制降低了功耗.本电路可以集成在高压集成电路(HVIC)中.采用某公司高压600V0.5μm BCD工艺模型,通过Cadence仿真验证表明:本电路可有效滤除dv/dt噪声,被消除的dv/dt噪声最高可以达到60V/ns,同时被消除的失调噪声可以达到20%,保证了高压栅驱动电路稳定、可靠地工作.