摘要：提出了一种HVIC中高端浮动电路的新的实现方式,该方式采用单路LDMOS,实现了高压电平位移的功能。分析了该方式的电路结构和工作原理,以此为基础,设计了功率MOS栅驱动集成电路。在主要电学指标相近的情况下,与目前常用电路相比,版图面积减小了约20%。采用6μm CMOS-LDMOS工艺,通过Hspice进行仿真验证,证明该方式正确可行。

摘要：国际整流器公司推出一系列新一代500v及600V高压集成电路（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等应用。新器件提供单路或双路输入、欠压锁定保护，以及用于半桥驱动器的固定或可编程死区时间，并可驱动高达2．5A的电流。

摘要：提出表面阶梯掺杂(SD:Step Doping on surface)LDMOS的二维击穿电压模型.基于求解多区二维Poisson方程,获得SD结构表面电场的解析式.借助此模型,研究其结构参数对击穿电压的影响;计算优化漂移区浓度和厚度与结构参数的关系,给出获得最大击穿电压的途径.数值结果,解析结果和试验结果符合较好.漂移区各区和衬底电场相互调制,在漂移区中部产生新的峰值,改善电场分布;高掺杂区位于表面,降低了正向导通电阻.结果表明:SD结构较常规结构击穿电压从192V提高到242V,导通电阻下降33%.

摘要：基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解.基于该物理模型提出的等效电路,在SPICE中准确地模拟了高压VDMOS的特性,包括准饱和特性和瞬态特性.在全电压范围内(0～100 V),直流特性与测试结果、瞬态特性(频率≤5 MHz)与MEDICI模拟结果相差均在5%以内,能够满足HVIC CAD设计的需要.

摘要：阐述了高压大电流快速CMOS驱动器的基本原理及电路设计、版图设计、工艺设计和封装等关键技术。

摘要：研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-158V,栅压-100V时饱和驱动电流达17mA(W/L=100μm/2μm),可以在100V高压下安全工作.

摘要：阐述了一种新型EL冷光驱动芯片的设计。该电路内部采用两级升压结构和SPWM控制策略,以及可以与低压工艺兼容的高压管结构。详细描述了各个模块电路的设计,完成了版图布局。仿真结果表明,该电路可以产生符合幅度和频率要求的正弦驱动信号。

摘要：　文章介绍了硅功率集成电路技术的一些发展动态。单片中小功率智能集成电路发展迅速,以BCD为其主要工艺技术;基于SOI的智能功率集成电路也得到开发。单片集成式的功率管为电源管理小型化、高频、较高可靠性设计提供了新途径,它们在分布式电源、便携式设备仪表中得到广泛应用。

摘要：前言本文介绍一种新的高压集成电路(HVIC)--IR2520D.这种新的HVIC在减少元件数量和降低电路复杂程度上有所突破,从而使设计者在保持低成本和小型化的同时,能够让镇流器满足欧洲地区新的需求.本文分析了几种关于这种HVIC的电路及应用,如小型一体化紧凑型荧光灯或没有功率因数校正的小型镇流器、使用无源功率因数校正的电子镇流器和使用有源功率因数校正的电子镇流器.

摘要：高输入电压同步稳压器，输出低电压高电流的LDO，单电感降压/升压型DC/DC控制器，20V低耐压饱和型稳压器，小尺寸的锂离子电池控制器，融合多种保护功能的高压集成电路……