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500 V LDMOS研制: 收藏
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引用; 《电子与封装》2015年第1期15卷 36-40页; 作者：崔金洪石金成深圳方正微电子有限公司广东深圳518116; 为了降低器件的制造成本,又可以和低压器件实现自主隔离集成在一起,所以需要价格较低的普通CMOS衬底片来实现高电压的器件设计。设计研制了一种在普通CMOS的衬底片上做深n阱层光刻注入和推结深,然后生长外延层,在外延层上做器件,高压n...; 为了降低器件的制造成本,又可以和低压器件实现自主隔离集成在一起,所以需要价格较低的普通CMOS衬底片来实现高电压的器件设计。设计研制了一种在普通CMOS的衬底片上做深n阱层光刻注入和推结深,然后生长外延层,在外延层上做器件,高压n阱作为LDMOS的漂移区做在P-外延层中,深n阱层做在P型衬底上。由于深n阱层注入推结深步骤后的热制成步骤,导致深n阱层会反扩到P-外延层,深n阱层是漏端重要组成部分,与高压n阱一样承担BVDS耐压重要功能。击穿电压的关键是高压n阱漂移区(耐压区)和深n阱层耐压区的结构。利用工艺仿真软件对高压n阱漂移区和深n阱层耐压区的不同注入剂量、长度、结深对LDMOS器件的击穿电压的影响进行了汇总,最终确认各个参量数值。; 来源：详细信息评论

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