摘要：HADS产品通常使用有机膜材料来减小寄生电容,以实现高像素密度(PPI)显示。本文对如何改善以顶层ITO为像素电极(Pixel Top)设计的有机膜产品的公共电极ITO与数据线间短路(DCS)不良进行了工艺优化研究。首先,通过显微镜、聚焦离子束对HADS有机膜产品DCS不良发生机理进行了分析,进而提出了第一钝化绝缘层刻蚀工序省略、保留第一钝化绝缘层至公共电极与像素电极间第二钝化绝缘层刻蚀时进行“一步刻蚀”的工艺流程变更改善方案。针对新工艺流程验证中TFT栅极过孔处第一钝化绝缘层出现的底切不良,通过调整等离子增强化学气相沉积成膜参数改善第一钝化绝缘层膜质,并选取最优成膜条件进一步调整干法刻蚀参数改善刻蚀形貌,获得了优良的栅极过孔刻蚀坡度角。优化后的“一步刻蚀”工艺进行的TFT基板,其栅极过孔第一钝化绝缘层坡度角小于40°,与栅极绝缘层间无明显刻蚀台阶。量产验证有机膜缺失导致的DCS发生率降为0。通过优化工艺,在降低产品不良率的同时还减少了工艺步骤,提升了产能。

摘要：本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升I_(on)7%、降低SS 3%、同时对I_(off)以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果。顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性。

摘要：高开口率高级超维场转换技术(HADS)阵列基板沟道干法刻蚀后,源/漏电极线边缘易形成光刻胶残留,导致钝化层微裂纹和沟道污染。为改善光刻胶残留和薄膜晶体管(TFT)漏电流,研究了光刻胶变性残留形成机理,光刻胶灰化工艺对光刻胶缺口形貌影响,解释了不同灰化时间下光刻胶缺口、台阶和TFT漏电流关系。采用全因子实验设计,研究了后处理工艺对漏电流影响。结果表明,在增强型电容耦合等离子体刻蚀中形成光刻胶缺口和副产物,两者共同作用导致光刻胶变性残留。光刻胶灰化工艺提高偏置功率,降低压力,使光刻胶覆盖源/漏极距离d>0,光刻胶缺口显著改善。然而随着距离d增加,沟道台阶增长,导致TFT漏电流增加。后处理优化进一步减少沟道副产物污染,降低背沟道漏电流。当后处理偏置功率1 kW,压力4 Pa,O_(2)/SF_(6) 10时,高温光照漏电流较量产条件降低18%,且无光刻胶残留发生。该工作为不同模式的沟道干法刻蚀工艺研究、光刻胶形貌优化和TFT漏电流改善提供参考。