摘要：针对当前SMT中集成电路基板散热难的问题,结合热设计方法,系统地研究了热液条件下在高纯度铝基片上生长氧化铝膜的技术,并对制成的基片电性能及其温度特性、表面形貌做了详细的测试与分析。结果表明:有氧化铝膜的铝基片既有高的散热性,又有好的电性能,完全符合SMT基板的要求,有广泛的应用前景。

摘要：对先进耐事故燃料(ATF)芯块的研发背景进行了概述,重点讨论了耐事故UO2基复合燃料芯块的国内外研究现状,认为UN、U3Si2和ThO2等燃料相是耐事故UO2基复合燃料芯块中最具发展潜力的掺杂相,然而其最佳添加量及分布状态尚需结合多尺度数值模拟和实验研究的方法开展深入探索。

摘要：基于工程化设备,在恒定挤出量条件下,通过调控纺丝温度制备了中间相沥青炭纤维(MPCFs),探究纺丝温度对MPCFs微观结构、力学和导热性能的影响。结果表明:随着纺丝温度由309升高至320℃,MPCFs的微观结构由石墨片层细小的褶皱劈裂辐射状结构逐步向石墨片层粗大的劈裂辐射状结构转变,拉伸强度由2.16增大到3.23 GPa,热导率由704升高到1078 W·m^(−1)·K^(−1)。这主要是因为纺丝温度越高,沥青熔体黏度越小,喷丝口处挤出胀大效应越弱,沥青熔体在喷丝孔流道内形成的微晶取向得以保持,以此制备的炭纤维具有更大的晶体尺寸和更高的微晶取向。

摘要：氮化镓(GaN)基功率器件性能的充分发挥受到沉积GaN的衬底低热导率的限制,具有高热导率的化学气相沉积(CVD)金刚石,成为GaN功率器件热扩散衬底材料的优良选择。相关学者在高导热金刚石与GaN器件结合技术方面开展了多项技术研究,主要包括低温键合技术、GaN外延层背面直接生长金刚石的衬底转移技术、单晶金刚石外延GaN技术和高导热金刚石钝化层散热技术。对GaN功率器件散热瓶颈的原因进行了详细评述,并对上述各项技术的优缺点进行了系统分析和评述,揭示了各类散热技术的热设计工艺开发和面临的技术挑战,并认为低温键合技术具有制备温度低、金刚石衬底导热性能可控的优势,但是大尺寸金刚石衬底的高精度加工和较差的界面结合强度对低温键合技术提出挑战。GaN外延层背面直接生长金刚石则具有良好的界面结合强度,但是涉及到高温、晶圆应力大、界面热阻高等技术难点。单晶金刚石外延GaN技术和高导热金刚石钝化层散热技术则分别受到单晶金刚石尺寸小、成本高和工艺不兼容的限制。因此,开发低成本大尺寸金刚石衬底,提高晶圆应力控制技术和界面结合强度,降低界面热阻,提高金刚石衬底GaN器件性能方面,将是未来金刚石与GaN器件结合技术发展的重点。

摘要：新能源汽车控制器中的DC-Link薄膜电容器经常在接近115的环境中工作。集成设计的水；令薄膜电容器是提高其自身散热能力的有效方式，同时带来了高功率密度、高热导率、高机械强度等益处。

摘要：二氧化铀(UO_(2))是商业轻水堆主要采用的燃料类型,但福岛核事故暴露了二氧化铀燃料的缺陷,进而催生了事故容错燃料研究计划的提出。UO_(2)基事故容错燃料芯块通常通过复合高热导率相或制备大晶粒来提高其导热性和机械性能,但迄今为止,还没有关于UO_(2)基事故容错燃料芯块烧结技术方面的系统性论述。基于此,总结了不同类型的UO_(2)基事故容错燃料芯块的烧结方法及研究进展,旨在探索新一代烧结工艺及提升我国先进核燃料的技术水平。

摘要：A lSiCp封装构件具有众多电子领域应用所需的优异性能:低密度、高热导率、高刚度和可设计调节的热膨胀系数。与Cu/W、Cu/Mo散热基板和Kovar外壳相比,A lSiCp电子封装构件可明显减轻重量,而采用近净成形的铸造工艺,在成本和生产效率上也可与A l合金外壳相媲美。

摘要：首尔半导体宣布推出1．4W超薄LED——Z—power Z1系列。Z1系列由具有高热导率的陶瓷制成，装有大型发光板，以便客户能够轻松控制灯的热度。这些特点使Z1能够在高温下更长时间发出强光，具有更高的可靠性，非常适用于室内和室外照明及家用器具的照明设计。作为高亮度LED，Z1的厚度仅1．2毫米，像一张信用卡的厚度。因此，Z1是各种小体积产品的最佳选择，紧随时代潮流。