摘要：主要介绍了Ka频段100 W空间行波管最新研制情况,通过长寿命与高流通电子光学系统设计、高效率与高线性注波互作用综合优化技术、高效率能量回收多级降压收集极设计等措施,研制出带宽2 GHz、P≥100 W、η≥60%、饱和相移≤50°的数传用Ka频段频段空间行波管,并完成了鉴定试验。

摘要：本文介绍了一种采用GaAs二极管设计的高线性吸收式限幅器设计方法。电路采用多级GaAs PIN二极管串联形式和加载功率吸收负载,利用GaAs PIN二极管线性度高、耐功率高的特点,可实现低损耗、线性度高和驻波比优良的高集成限幅器结构。测试结果表明在S频段,限幅器插入损耗小于0.5dB,承受功率可达到10W,输出P-1功率大于22dBm,限幅输出功率小于25dBm。本文提出一种新式高线性吸收式限幅器设计方法,在限幅器技术领域具有广阔的应用前景。

摘要：设计了一种适于DVB-C标准的中频可变增益放大器。该放大器由三部分构成:电流调节型可变增益单元、基于差分对管传输特性的指数控制电压产生电路以及一高线性输出级。采用Chartered0.25μm RFCMOS工艺库下流片。测试结果表明,4～49dB的连续增益范围,100MHz的3dB带宽,50Ω负载下的OIP3为16.8dBm。

摘要：针对接收机前端中可变增益放大器需要高线性处理大信号的问题，分析了使用源极退化电阻以及跨导增强电路的放大器线性度；设计了使用改进型跨导增强电路的放大器。它具有更强的跨导增强能力，同时减小了输入MOS管跨导由于漏源电压变化产生的非线性失真。提出了一种对称的可变电阻结构，它降低了MOS管开关带来的非线性。仿真结果表明，放大器在3．3V电源电压下直流功耗为1．5mW，在1～10MHz带宽、3～24dB增益范围内，差分输出信号峰峰值为3．3V时，总谐波失真低于-60dB。

摘要：设计一种新型电容式微位移传感器,给出了检测电路。原理为20 kHz的正弦信号加在传感器上,传感器产生的交流电压与电容电极之间的距离成正比。电路包括正弦信号发生电路、精密全波整流电路、滤波电路和信号放大电路。实验证明:该传感器线性度小于3%,分辨率优于0.01μm.

摘要：针对低电源电压Gm-C复数滤波器线性度不足的问题,提出了一种使用大信号线性化技术的一阶复数带通滤波器。所提出的复数滤波器使用了不平衡差分对和自适应偏置电路两种线性化技术,通过扩展跨导相对恒定的输入电压范围提高滤波器的线性度。滤波器采用UMC 110 nm CMOS工艺设计,中心频率和带宽分别为2 MHz和1 MHz。Cadence仿真结果显示,在1.2 V电源电压下,滤波器功耗为229μW,镜像抑制比(IIR)为18 dB,线性度(输入三阶交调点IIP3)为9.53 dBm,总谐波失真(THD)为-55.7 dB。该复数滤波器电路结构简单、功耗较低,以期能广泛应用于低电源电压的接收机设计。

摘要：介绍了一个采用多种电路设计技术来实现高线性13位流水线A/D转换器.这些设计技术包括采用无源电容误差平均来校准电容失配误差、增益增强(gain-boosting)运放来降低有限增益误差和增益非线性、自举(bootstrapping)开关来减小开关导通电阻的非线性以及抗干扰设计来减弱来自数字供电的噪声.电路采用0.18μm CMOS工艺实现,包括焊盘在内的面积为3.2mm2.在2.5MHz采样时钟和2.4MHz输入信号下测试,得到的微分非线性为-0.18/0.15LSB,积分非线性为-0.35/0.5LSB,信号与噪声加失真比(SNDR)为75.7dB,无杂散动态范围(SFDR)为90.5dBc;在5MHz采样时钟和2.4MHz输入信号下测试,得到的SNDR和SFDR分别为73.7dB和83.9dBc.所有测试均在2.7V电源下进行,对应于采样率为2.5MS/s和5MS/s的功耗(包括焊盘驱动电路)分别为21mW和34mW.

摘要：针对应用于无线局域网IEEE 802.11ac标准的终端,通过采用自适应线性化偏置和宽带匹配技术,设计一种高线性度的InGaP/GaAs HBT功率放大器。芯片测试结果表明,在4.9~5.9GHz的工作频段内,该功率放大器小信号增益超过26.2dB,1dB压缩点输出功率超过29.1dBm,实现了在64正交振幅调制-正交频分复用输入信号下,误差矢量幅度在3%时超过19dBm的线性输出功率。

摘要：在多标准系统应用中,由于线性度和噪声的要求,使得混频器的设计难度很大。采用2次谐波注入结构的3阶失真抵消技术,设计了一种改善跨导级线性度的高线性CMOS混频器。在混频器开关级处引入LC滤波电路,抵消了开关级晶体管的2阶和3阶互调失真,进而优化了开关级的线性度。采用TSMC 0.13μm CMOS工艺进行设计与仿真,并完成了版图设计与流片。较之传统的吉尔伯特混频器,该电路的输入3阶交调点IIP3增加了11.2dBm,达到9.2dBm的高线性度,对噪声系数、增益以及功耗造成的影响较小。

摘要：设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想的一款低噪声放大器。