摘要：采用TSMC 0.13 μm 1P6M CMOS工艺,设计了一种用于射频集成电路的高Q值、高耦合的叠层片上变压器。采用叠层差分结构,初级线圈和次级线圈上下完全重合,提高线圈的耦合效率及初次级线圈的品质因数Q。同时采用背硅刻蚀工艺改进衬底,减少衬底涡流损耗。研究了线圈直径d、宽度w和间距s对变压器性能的影响。应用安捷伦ADS Momentum软件,对所设计的片上变压器进行电磁场S参数仿真验证。结果表明,该变压器在4.2 GHz时品质因数Q值达到最大值13.4,在1~10 GHz频率范围内耦合系数K为0.8~1,最大可用增益G(max)接近于0.9,可应用于硅基射频集成电路设计中改善电路性能。

摘要：采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种低损耗高耦合的单圈倒装交错层叠结构的片上变压器,这种结构减小了初级线圈与次级线圈间的垂直距离,提高了线圈间的耦合度及线圈的品质因数Q,从而提高了变压器的传输效率。同时对地面层进行了改进,在100 GHz时,耦合因子k从0.81增大到0.95,并探讨了线圈直径d和宽度w对变压器性能的影响。该变压器在89 GHz时Q达到最大值18.5,在30-150 GHz频率范围内耦合因子k为0.65-1,最大可用增益Gmax接近于1,该变压器可应用于毫米波集成电路设计中改善电路性能。

摘要：决定人才培养模式的因素主要包括学生、教师、管理者、学习空间和用人单位,它们之间存在耦合关系。西藏地区高校人才培养模式五维因素存在低耦合或不耦合关系,从而导致人才培养质量不高。为此,笔者提出多维因素高耦合人才培养模式,详细论述调整它们之间低耦合或不耦合的措施和方法,即:精准定位目标与规格,立足学情修订培养方案,动态调整教学内容与进度,注重西藏学生元素养教育,加强"双师型"师资队伍培训,学习空间创新设计与改造等,从而构建符合西藏地区高校多维因素高耦合人才培养模式,以达到提高人才培养质量的目的。

摘要：随着国家电力行业的不断发展,许多事故发生时的短路电流已经接近或者超过设计初期的额定短路电流值,从而引发开断装置无法开断电流与烧毁设备等一系列问题。目前解决此类问题的最有效的方法是使用大容量的短路电流开断器,这种解决方式可以在不改变电网现状的情况下灵活满足短路电流容量增大的要求,但此法的缺点是电抗器易受雷电波影响。本论述介绍了高耦合分裂电抗器的工作原理与结构特点,利用集总参数法计算了一台500kV、4MVar高耦合分裂电抗器的雷电冲击特性。在分裂电抗器一侧接地而另一侧接入标准雷电波的情况下,分别计算了主绝缘通道与纵绝缘通道的电场强度,并最终通过试验验证了该计算的可靠性。

摘要：电台多媒体系统将不仅仅是为播出系统服务,提供包括工作站、节目制作、文稿写稿、网上广播、新媒体业务等服务。多媒体系统将成为全台业务的核心,多媒体系统汇集了多种节目资料来源,如电视台媒资、其它电台节目资料,以及电台内部本身各个系列频率的分库资料。这就要求多媒体系统采用可自定义的柔性数据库,可按照不同类别进行创建,符合各自所需。并且有自定义的自动归档机制。同时又要求多媒体系统采用通用的标准应用接口,实现与其他应用系统的高耦合。系统的稳定性和安全性,特别是高度的数据安全保证。