摘要：本文设计了一款基于太赫兹有源器件的G波段高输出功率发射组件。组件通过两次混频,将X波段的中频信号上混频至G波段。通过理论分析及电磁场仿真后,加工制作了实物模型进行测试,整体组件的饱和输出功率优于25mW,带内杂散抑制度优于40dBc,并且在脉冲周期20μs,占空比10%的条件下可正常工作,达到了预期设计目标,满足工程化应用的需求。

摘要：为了降低与射频系统级相关的功耗,以及增加输出功率,提出了一种共源共栅结构的CMOS VCO。所提出的VCO核心包含有共源共栅结构,以增加VCO的供电电压。为了降低与栅源级间和栅漏级间击穿相关的可靠性问题,将共源晶体管的栅级节点与共栅晶体管的源级节点相连。为了验证所提出VCO的有效性,采用90nm的RF CMOS工艺设计了一款2.4GHz的CMOS VCO芯片,由测试结果可得,该款VCO在2V电源电压供电下取得了相对较高的输出功率、较低的相位噪声以及变化较平缓的振荡频率。

摘要：这是LinkSwitch—XT IC产品系列的最新产品，面向以严格的输出电压及电流精度为首要设计关键因素的应用。该产品系列支持通用输入（85Vac～265Vac）的充电器及适配器，输出功率高达4W，在开放式应用中输出功率可达到9W（230Vac）。

摘要：IDTP9030和IDTP9020专为满足无线充电联盟（WPC）的Qi标准而设计，可保证与其他满足WPC Qi标准器件的互操作性。发送器和接收器均能够进行“多模式”操作，可支持Qi标准和专用格式以增加功能、改进安全和提高功率输出能力。内置的协议检测可实现Qi与专用模式间的动态转换，从而实现平稳过渡和可靠的用户体验。

摘要：由于集成电路工艺截止频率Ft的限制,直接通过振荡器获取的太赫兹信号源具有输出功率低、带宽较窄等问题。针对该问题,提出一种可实现高性能太赫兹源的宽带倍频链路设计。对比了传统push-push技术与改进的跨导增强push-push技术,并提出将跨导增强push-push技术运用到倍频器中,提高了倍频链路的倍频增益;在链路级间采用具有幅度与相位纠正功能的新型有源巴伦结构,进一步提高了倍频器的倍频增益与谐波抑制性能。仿真结果表明,倍频链路可实现带宽为210~256 GHz,饱和输出功率为-0.5 dBm,峰值倍频增益为-0.55 dB的太赫兹信号源,链路的总直流功耗仅为30.6 mW。

摘要：提出了一款4G频段全覆盖高输出功率高效率功率放大器。设计采用的是Cree公司提供的Ga N HEMT晶体管CGH40025F。基于F类功率放大器的设计理论,通过对晶体管的输入输出端均采用谐波控制网络,并将渐变式阻抗匹配这种宽带匹配方法应用到输入输出端的基波匹配当中。在实现二次谐波阻抗匹配至低阻抗区,三次谐波阻抗匹配至高阻抗区的同时基波阻抗被匹配至50Ω附近,从而有效提高了功率放大器的输出功率、效率和带宽。最终的测试结果表明在1.7~2.7 GHz频率范围内,漏极效率维持在62.55%~76%,输出功率在20~41W,增益在10 d B以上。仿真与实测结果基本一致。

摘要：基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种中心频率为140 GHz的三级Cascode结构的功率放大器。该放大器由两个驱动级和一个输出功率级组成,输入、输出和级间匹配均采用微带线实现。设计中,选用最佳尺寸的晶体管,通过分析得到最佳偏置电流和最佳偏置电压,从而获得最大的电压摆幅,以提高输出功率。仿真结果表明,在120~160 GHz的工作频带中,该放大器的最高增益为28 dB,饱和输出功率为16.2 dBm,功率附加效率为20%,功耗为220 mW。

摘要：基于汽车运动过程,研究了宽车速范围的微型振动能量收集器,提出了一种应用于胎压监测系统(TPMS)的梯形阵列式压电振动能量收集器。在优化固有频率的情况下,对能量收集器的结构参数进行了仿真优化设计。仿真结果表明,在最优结构参数下,车速范围为80~120km/h时,能量收集器的输出功率范围为1 620~9 600μW。该能量收集器可以工作在较宽车速范围,输出功率高。这为TPMS的无线供电提供了新的设计思路。

摘要：电源设计人员经常面临种种互相对立的要求。一方面要缩小体积、降低成本，另一方面又要提供更多功能并提高输出功率。受原理上的限制，模拟电源本身的功能有限，而模拟电源控制器的设计更是越来越复杂。由于这一原因，有些设计人员转向了纯数字电源设计。然而，对于许多设计人员来说，如此快速地转向不熟悉的领域并不容易。比较可行的一种折衷方法是采用传统模拟电源，但增加数字单片机做为前端。

摘要：新材料技术的现状和应用範围当前世界各国正在对新材料积极地进行研究开发,通过对材料物性的研究及材料设计、材料加工、试验评价等研究,研制出的新材料。