摘要：基于0.18μm CMOS工艺,设计一种带有高阶补偿结构的低温漂系数带隙基准电路。在传统带隙基准的结构上,利用当三极管的集电极电流工作在不同温度特性下的基极与发射极的电位之差含有的高阶补偿量,对传统结构进行补偿,从而得到一个温度系数极低的带隙基准源。仿真结果表明,所设计电路整体结构简单、易实现,在-55~125℃的温度范围内,温漂系数仅为2.52 ppm/℃,低频时的电源抑制比为-78 dB。

摘要：设计了一种高低温的高阶曲率补偿带隙基准源。利用VBE的负温度系数特性,分别在高温和低温时使双极型晶体管(BJT)导通,通过BJT的集电极电流产生与温度成指数关系的电压,对基准电压进行补偿,达到高阶补偿的效果。同时,带隙基准电压源采用调节电阻以及NPN和PNP串联的形式,可产生2.3V的基准电压。电路基于CSMC 2μm双极工艺设计,采用Hspice进行仿真验证。仿真结果表明,在-55℃~125℃温度范围内,温度系数达到7.5×10^(-6)/℃。

摘要：在0.18μm标准CMOS工艺下,设计了一种低温漂基准电压源。该基准电压源由启动电路、带隙基准核电路、偏置电路、高阶补偿电路四部分构成。通过在低温段进行2阶补偿、在高温段进行高阶补偿,使得基准电压源输出在设计标准下趋于稳定。仿真结果表明,当电源电压为1.8V、温度范围为-25℃~125℃时,该基准电压源的温度系数为3.12×10^(–6)/℃。

摘要：基于带隙基准源的工作原理以及如何提高温度特性的思想,设计了一种无运算放大器且具有新型高阶温度补偿的带隙基准电路。通过对传统带隙基准电路结构的改进,提出一种新的高阶温度补偿方法。该电路在不使用运放的情况下,分别产生较为精准的正、负温度系数电流,通过共源-共栅电流镜将负温度系数电流降阶,并对其一阶、二阶温度系数进行补偿。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,芯片尺寸为240μm×220μm,电源抑制比(PSRR)-64dB。测试结果表明:输出基准电压均值为580.6 mV,在-45~120℃范围内温度系数为7.5×10-6/℃,整个电路的功耗为45μW。

摘要：介绍并设计一款具有高阶曲率补偿功能的开关电容式带隙基准电压源,采用自动调零技术,克服传统线性基准的失调缺陷,消除了失调电压的影响,提高了运放的输出精度。设计采用虚拟管,降低开关管关断时带来的寄生效应;通过架构引入高阶补偿项,使输出电压温度曲线为正弦型,显著降低了温度系数。电路在0.35μm标准CMOS工艺下实现,通过仿真得到在一定温度范围内的温度系数、温度漂移及线性调整率等。所设计电器可作为一种典型的离散时间带隙基准,在以具有高精度为特点的电路中有一定的应用价值。

摘要：为了得到一个更加精确的基准电压,本文对原有的经典的高阶补偿带隙基准电路经行改进。通过在传统的高阶带隙基准源结构上,改变mos管尺寸和增加一个带有反馈的运放,实现了理论分析和电路建模的完全重合。该电路采用UMC0.11μm3.3vCMOS工艺库,-30-120℃的范围内,温度系数从原有的0.42 ppm/℃被优化到0.086 ppm/℃。

摘要：本文利用工作在亚阈值区的NMOS管的栅源电压,结合由两个栅源电压之差产生的一个PTAT(与绝对温度成正比)电压,提出了一种用于电流模基准源的新的高阶补偿方法。与传统的补偿方法不同,本文提出的方法利用电流对温度的不同依赖性,先进行高阶补偿,然后再进行一阶补偿。使用这种高阶补偿方法设计了一个CMOS电流模高阶补偿基准,它不使用双极器件,从而明显改善基准电路的性能;同时也不使用运放,因此也不存在失调电压的影响。理论和模拟结果均表明,本文提出的补偿方法是可行的。

摘要：介绍了一种新型电压基准电路,通过引入高阶温度补偿和电源预调整结构,提高了基准电压精度.电路采用BCD工艺仿真,在-20~125℃温度范围内,输出电压的温度系数为1.4 ppm/℃;3 V到40 V的范围内,电源电压引起的基准电压变化率为0.00066%.本文设计的电压基准电路特别适用于宽电源电压输入,且对精度要求高的应用.

摘要：文章基于通过控制mos管的栅极电压产生随着温度变化的补偿电流原理,采用0.5μm BCD30 V工艺,设计一款二阶温度补偿带隙基准电压源,仿真结果表明,电源电压等于7 V时,电路能够产生一个稳定的1.24 V输出电压,在﹣40~125℃内,最小温度系数为3.47×10-6/℃,最大温度系数为6.5×10-6/℃,输出电压偏差3 m V。在7 V电源电压下,100 k Hz频率下电源抑制比为65 d B。

摘要：设计了一种具有新型曲率补偿的电流模式的带隙基准电压源电路,通过在高温时产生一路正温度系数的电流注入到输出端来补偿VBE的高阶负温度系数项实现曲率补偿,从而得到更低温度系数的输出电压.同时采用一种有效的启动电路保证电路上电后可正常启动.该设计基于SMIC 0.13μm CMOS工艺,在1.2V电源电压下,输出基准电压为500mV,在-30～130℃范围内温度系数的版图后仿真可达到3.1×10-6 V/℃,整个电路功耗为180μW.