摘要：针对压阻式传感器敏感结构设计的需要,提出一种MEMS三轴高g值加速度传感器敏感结构。对设计的传感器进行Hopkinson杆冲击试验,标定了传感器的灵敏度、线性度和交叉耦合误差参数。对标定的传感器进行了动态侵彻试验,试验结果表明在48 000 gn幅值、3 ms脉宽和15 000 gn幅值、13 ms脉宽的冲击载荷下,传感器测试的位移误差为6%,性能良好,能够满足大脉宽、高冲击测试的需要。

摘要：讨论了硅的压阻效应 ,利用简化的力学模型设计了高 g值压阻加速度传感器的结构参数、工艺流程和版图 ,并制备出样品 ,测试结果表明本传感器加速度可大于 80 0 0 g。

摘要：圆柱壳在高g值冲击下具有潜在的缓冲吸能作用,利用大型有限元分析软件LS-DYNA对圆柱壳在高g值冲击下的缓冲过程进行了数值仿真。通过仿真,发现在高g值冲击下圆柱壳能够起到较好的缓冲效果。改变壳的几何物理参数,通过比较得出:在相同初始冲击加速度下,壁厚相同时,随着圆柱壳的直径减小其缓冲效果越来越明显;直径相同时,随着圆柱壳壁厚的减小,缓冲效果越来越明显。还提取了圆柱壳在某时刻的屈曲模态,与以往研究壳在轴向冲击载荷下屈曲模态的结论基本一致。

摘要：综合分析了冲击振动机理与冲击振动设备的现有状况,依据等效响应原理,建立冲击振动系统的数学模型,设计出一种具有连续冲击能力的高g值冲击振动系统。系统可模拟精密元件实际的冲击振动环境,完成产品抗冲击能力的试验,对于提高产品性能测试效率,改革冲击试验台技术具有重要意义。

摘要：介绍了基于Hopkinson杆技术的激光光栅干涉法冲击加速度计的绝对校准方法。采用激光干涉仪对激励信号进行测量,实现对高g值加速度计的标定。给出了高g值加速度传感器的灵敏度标定公式,并通过比较说明了两种公式的优缺点。实验结果表明,本文中的标定方法可满足标定的精度要求。

摘要：以弹体在Taylor撞击实验中产生的冲击载荷以及载荷的潜在应用为主要关注点,采用理论与实验相结合的方法,对截卵形弹的撞击变形特点和冲击载荷特性进行研究。基于经典的平头弹Taylor撞击理论建立截卵形弹体的Taylor撞击分析模型,并对动量冲量守恒方程进行修正,修正后的模型预测结果更接近实际。设计并开展具有相同外径、相同质量的截卵形弹、平头弹的Taylor-Hopkinson撞击实验,对比两种头型弹体在变形模式、撞击载荷等方面的差异,分析产生不同脉冲形状冲击载荷的原因,讨论弹体在撞击过程中经历的整体高g值过载。结果表明:头部形状显著改变了冲击载荷的波形、脉宽特征,撞击速度主要影响冲击载荷的峰值;通过弹体头部形状设计和撞击速度控制能够实现冲击环境特性的调控;研究结果支持了将Taylor撞击实验应用于高g值实验加载的设想。

摘要：为获取硬目标侵彻武器弹体侵彻过程中完整的三轴向加速度信号,研制了三维高冲击过载MEMS压阻式加速度传感器。提出了中心岛硬心质量块E型膜片结构设计方案和独特的三维力敏电阻的布桥方式,并详细阐述了传感器三维加速度测试的工作原理,运用有限元分析软件进行仿真验证,并运用零阶粗优化与一阶梯度寻优相结合的优化算法,对传感器敏感芯片的结构参数进行优化。优化仿真结果表明:传感器敏感芯片的结构强度足够,可承受的瞬态高冲击过载峰值最高可达2×105g;芯片固有频率可达231 kHz;三轴向加速度测试力敏电阻布设位置应力应变大,使得传感器有较高的输出灵敏度,理论上的优化仿真分析保证了传感器有可靠的工作性能,最后研制传感器原理样机,进行实验验证。

摘要：为了准确分析侵彻试验时的加速度特点,该文设计了一种基于动态存储技术的弹载高g值三轴加速度测试系统,它具有低功耗、抗高冲击等特点。针对弹载记录仪在侵彻环境中受到高冲击导致电路测试失败的问题,选用泡沫铝作为缓冲材料,并对其进行研究。通过试验证明其可靠性。