摘要：全面综述了先进金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的1/f噪声研究进展。界面态、器件结构、材料缺陷、量子效应等诸多因素均会影响1/f噪声。随着工艺尺寸的持续缩小和高k介质材料的应用,以及热载流子效应、辐照损伤等因素的影响,MOSFET的1/f噪声起源问题一直是学术界具有较大分歧和争议的课题。只有澄清了1/f噪声的真正物理起源,才能有效通过工艺加以改善,支撑设计应用。

摘要：氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带、高理论击穿电场强度、高Baliga优值(BFOM)等优异特性,是制备高压大功率器件的理想半导体材料之一。但是,实现良好的器件表面钝化,尤其是改善绝缘介质/Ga_(2)O_(3)的界面特性仍然是Ga_(2)O_(3)器件研究中亟需解决的关键技术难题。首先,对Ga_(2)O_(3)金属-氧化物-半导体(MOS)器件表面钝化、高k介质能带工程的研究进展进行分析、对比;然后,对适用于Ga_(2)O_(3)器件(晶体管、二极管)表面钝化技术的重要研究进展进行了综述,包括表面边缘终端设计、复合钝化工艺、钙钛矿型氧化物钝化等;最后,对Ga_(2)O_(3)器件表面钝化的研究方向进行了展望。

摘要：利用电荷泵自举原理,提出一种新颖的CMOS驱动电路。该电路在输入信号未进行开关操作时对电容充电,在开关操作发生时,由电荷泵电容和电源一起向负载电容充放电,从而可在不影响充放电时间的前提下降低电源对负载电容的充放电尖峰电流,减小电源噪声。该电路特别适合用来驱动采用高k介质或深槽隔离工艺的功率集成电路,可同时降低上升/下降沿时间和电源尖峰电流,并大幅减小芯片面积。采用中芯国际0.35μm标准CMOS工艺进行流片,测试结果表明,该电路可同时降低负载电容充放电尖峰电流与上升/下降沿时间。

摘要：提出了一种新型高灵敏度横向电容式硅微加速度计．根据差分电容极板间正对面积的改变来检测加速度大小,保证输出电压与加速度之间的线性度．系统刚度可由静电力调节．为了提高电学灵敏度,在检测电容极板上设计高k介质层,增大了检测电容量,减小了杂散电容的影响．使用CoventorWare对本设计进行机械分析、力电耦合分析和模态分析,仿真结果与理论计算相吻合．加速度计使用简单的表面牺牲层工艺即可完成,具有很好的发展前景．