摘要：将高压mOSFETs器件集成到低压CmOS数字和模拟电路中的应用越来越频繁。文章参考了Parpia提出结构,将高压NmOS、PmOS器件制作在商用3.3V/5V 0.5μmN-阱CmOS工艺中,没有增加任何工艺步骤,也没有较复杂BiCmOS工艺中用到的P-阱、P+、N+埋层,使用了PT注入。通过对设计结构的PCm测试,可以得到高压大电流的NmOS管BVdssn>23V～25V,P管击穿BVdssp>19V。同时,文章也提供了高压器件的设计思路和结果描述。

摘要：本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5 μm高电子迁移率晶体管(HEmT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片.试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5～5.0GHz带宽内,移相起伏小于10°;在2.6～3.5GHz带宽内,移相起伏小于5°,同设计仿真结果基本吻合.

摘要：在 Synopsys TCAD软件环境下 ,模拟实现了与 0 .5 μm标准 CmOS工艺兼容的高压 CmOS器件 ,其中NmOS耐压达到 10 8V,PmOS耐压达到 - 6 9V.在标准 CmOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压 CmOS器件 ,从而实现高、低压 CmOS器件的集成 .此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路 .

摘要：为了提高精密工作台的轨迹跟踪精度和动态响应性能,基于辨识出的控制对象离散化模型,利用极点配置方法设计精密工作台运动控制器的前馈环节和反馈环节,构成具有两自由度结构的精密工作台运动控制系统。通过实验,与PD+加速度前馈的控制方式相比较,精密工作台静态定位误差提高了0.5μm;当精密工作台以120mm/s匀速运动时,轨迹跟踪精度提高了2μm,定位建立时间缩短了10ms。表明,采用极点配置方法设计的运动控制器具有较好的动态响应和轨迹跟踪性能。

摘要：采用差动运算放大器加电流镜的方法,设计了一种CmOS峰值检测电路,包括峰值电压检测及输入信号过峰时刻甄别两部分.该电路设计基于0.5μm CmOS工艺,实现对峰值电压范围为0.5V,脉冲宽度1～5μs的准高斯信号的精确检测,误差小于6mV。另外,改进了过峰时刻甄别电路,采用了先微分再过零比较的办法,避免了一个准高斯信号输出多个峰值电压.

摘要：本文描述了一种带信号丢失检测告警功能的CmOS工艺限幅放大器,用0.5μm标准CmOS工艺设计制造。采用5V电压供电,电压增益60dB,带宽250mHz。输入为PECL逻辑,误码率为10-12下测得灵敏度为差分2mVpp,饱和输入达差分2000mVpp。采用CmL输出逻辑,差分100欧负载时,输出差分限幅幅度可达1400mVpp,可应用于155mbps的光纤通讯收发模块前端。

摘要：设计并研制了一种结构小巧的纳米级精密定位平台.该系统采用正交簧片式设计,有效地抑制了正交运动的耦合,同时应用一个二维电容微位移传感器作为位移标准来对定位平台实行反馈控制,有效地克服了压电陶瓷执行机的非线性和迟滞效应.实验结果表明,该系统定位精度优于1nm,可在0.5μm×0.5μm范围内实行任意二维纳米循迹定位.给出了半径为2.5nm的圆及外接圆半径约为5nm的五角星形的定位轨迹图.该系统基本满足高精度引力实验精确定位的需求.