摘要：根据Tm^(3+)∶BaGd_2(moO_4)_4激光晶体的发光特性,以厚度为1.1 mm的该晶体为基底,选择Ta_2O_5和SiO_2作为高低折射率膜料,通过电子枪蒸镀的物理沉积方式分别在晶体两端面设计并镀制了输入膜系和输出膜系,同时采用霍尔离子源辅助沉积来增强晶体与膜层之间的结合力。镀膜后的晶体输入端面795 nm透过率大于90%,1.9μm透过率小于0.2%;输出端面795 nm透过率小于10%,1.9μm透过率等于6.55%。通过采用795 nm波长的半导体激光泵浦镀膜后的晶体,实现了1.9μm准连续激光输出,结果表明该激光输入输出膜系的镀制满足激光器实验的使用要求。

摘要：Tm：YLF晶体因其优良的机械性能及光谱特性，成为1.9μm激光器的首选晶体。为获得高效率、高功率的1.9μmTm：YLF激光，分析了Tm：YLF晶体的物化参数、光谱特性以及单掺Tm^3＋激光器的发光机理，从速率方程出发建立了Tm：YLF激光器转换效率的计算模型，利用该模型分析了输出镜透过率、泵浦一激光模式比等参数对Tm：YLF激光器转换效率的影响，并提出了参数设计范围。