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FinFET/GAAFET/CFET纳电子学的研究进展
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《电子与封装》2024年 第8期24卷 76-97页
作者:赵正平中国电子科技集团公司北京100846 专用集成电路重点试验室石家庄050057 
集成电路延续摩尔定律的发展正在从鳍栅场效应晶体管(FinFET)纳电子学时代向原子水平上的埃(?魡)时代转变。综述了该转变阶段的三大创新发展热点,FinFET、环栅场效应晶体管(GAAFET)和互补场效应晶体管(CFET)纳电子学的发展历程和最新进...
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一种用于砷化镓晶圆级堆叠的工艺技术
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《固体电子学研究与进展》2023年 第4期43卷 311-315页
作者:廖龙忠 周国 毕胜赢 付兴中 张力江中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 
随着电子系统对多功能、小型化要求的不断提高,将数字控制电路、移相器、低噪声放大器等砷化镓微波集成电路(MMICs)进行3d集成是解决问题的方向。为此,设计具有数百个互连点的孔链测试结构模拟上下两层电路互连,采用砷化镓穿孔技术将正...
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Chiplet基三维集成技术与集成微系统的新进展
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《微纳电子技术》2023年 第4期60卷 477-495页
作者:赵正平中国电子科技集团公司北京100846 固态微波器件与电路全国重点实验室石家庄050051 
集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点。综述了后摩尔时代中一大创新发展热点,即chiplet基3d集成技术与集成微系统的最新进展。综述并分析了当今chiplet基3d集成技术的关键技术的发展现状与趋势,包含3d集成技术、chiplet...
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Chiplet基三维集成技术与集成微系统的新进展(续)
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《微纳电子技术》2023年 第5期60卷 641-657页
作者:赵正平中国电子科技集团公司北京100846 固态微波器件与电路全国重点实验室石家庄050051 
集成电路在后摩尔时代的发展呈现出多模式创新的特点。综述了后摩尔时代中一大创新发展热点,即chiplet基3d集成技术与集成微系统的最新进展。综述并分析了当今chiplet基3d集成技术的关键技术的发展现状与趋势,包含3d集成技术、chiplet...
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一种低损耗毫米波垂直互联设计
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《电讯技术》2017年 第7期57卷 825-829页
作者:张先荣中国西南电子技术研究所成都610036 
设计了一种利用球栅阵列(BGA)的毫米波垂直互联,解决了毫米波系统三维(3d)集成时层间信号互联的低损耗传输问题。根据传输线理论,利用电磁仿真软件对这种采用BGA的垂直互联进行了仿真,并对层间通孔半径、焊球半径、焊盘半径等对传输性...
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试析“超越摩尔定律”的技术
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《微电子学》2012年 第5期42卷 706-709页
作者:赖凡 徐学良 蔡明理中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 
分析研究了半导体技术有别于"摩尔定律"的另一个发展趋势,即"超越摩尔定律"的发展方向,重点讨论了"超越摩尔定律"范畴的形成、可用组成器件、支撑技术和异质集成设计技术等问题。
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TSV的工艺缺陷诊断与分析
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《半导体技术》2018年 第6期43卷 473-479页
作者:陈媛 张鹏 夏逵亮工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州510610 华南理工大学分析测试中心广州510641 西安电子科技大学微电子学院西安710071 
随着3d集成封装的发展,硅通孔(TSV)成为实现3d堆叠中最有前景的技术之一。通过通孔和微凸点实现上下堆叠IC之间的垂直电连接,先进的TSV技术能够满足3d SIP异构集成、高速宽带、小尺寸及高性能等要求。然而,作为新型互连技术,TSV技术...
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基于毛纽扣的板级垂直互连技术
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《电子工艺技术》2016年 第3期37卷 135-137,186页
作者:刘江洪 刘长江 罗明 王辉中国电子科技集团公司第29研究所四川成都610036 
小型垂直互联技术是系统板级三维集成中的核心技术之一。设计开发了一种免焊接的毛纽扣垂直互联结构,它通过弹性压接方式实现了封装电路与基板之间的高频信号垂直传输。毛纽扣垂直互联结构的尺寸和电性能特性,采用三维电磁场仿真设计与...
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一种层叠式宽带多功能一体化收发组件设计
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《无线互联科技》2023年 第20期20卷 25-29页
作者:张金良 杨柳 刘朋朋 李谦中国船舶集团公司第七二四研究所江苏南京211153 
随着电子技术的不断发展,现代舰船信息装备对集成雷达、通信、电子战等多种功能的综合射频系统需求越来越高,而收发组件作为综合射频系统的核心部件,其功能和性能直接决定了综合射频系统的作战能力。文章介绍了一种基于射频直采、微波3...
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