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检索条件"主题词=90纳米"
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台积电针对90纳米平台提供更多DFM建议
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《半导体技术》2005年 第6期30卷 80-80页
在日前举行的台积电(TSMC)2005年技术研讨会上,该公司的高层透露,将为采用90纳米设计规则的工程师提供更多的可制造性设计(DFM)建议(recommendations)。台积电。DFM项目负责人JamesWang透露,此次新公布的6条指导建议基于台积电2004...
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中芯国际用ARM物理IP支持90纳米设计
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《单片机与嵌入式系统应用》2006年 第7期6卷 54-54页
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中芯国际采用ARM物理IP流片90纳米低功耗设计
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《电子设计技术 EDN CHINA》2006年 第7期13卷 55-55页
中芯国际和ARM日前宣布。中芯国际采用ARM(r)Artisan(r)物理IP系列产品中的ARM Metro(tm)低功耗/高密度产品和Advantage(tm)高性能产品.用于90nmLL(低渗漏)和G(主流)处理工艺。ARM称。2006年第四季度。客户可通过ARM网站...
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英飞凌将90纳米DRAM沟槽技术转让于中芯国际
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《电子设计技术 EDN CHINA》2006年 第2期13卷 113-113页
作者:丛秋波 
英飞凌科技公司(Infineon)和中芯国际(SMIC)近日签署合作协议,将进一步扩展在DRAM产品生产领域中的现有合作,开始90纳米标准的产品合作生产。
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先进的90纳米CMOS工艺技术即将实用化
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《今日电子》2002年 第4期 4-4页
飞利浦电子、意法半导体和台湾半导体制造有限公司宣布,三家公司在新的先进的90纳米(0.09微米)CMOS技术上达成一项合作协议。三方协议还包括CMOS下一代技术65纳米以及更小纳米CMOS的开发。 90纳米试验装置已经分别在飞利浦和ST的法国...
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专题讨论:ESL被系统设计师完全采纳尚需时日
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《电子设计技术 EDN CHINA》2006年 第4期13卷 136-136,138页
作者:Michael SantariniEDN高级编辑 
电子系统级(ESL)设计概念的提出已经有十多年的历史,但到目前为止,它的应用还不是很普及,因为它仍然面临着很多挑战——设计工具、IP核、设计方法学,以及设计人员观念的转变……但是随着IC设计向90纳米、65纳米、甚至45纳米的不断发展,...
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国内要闻
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《中国集成电路》2006年 第2期15卷 24-27页
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企业动态
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《当代通信》2006年 第1期13卷 115-117页
江西移动与索爱向地震灾区献爱心;BEA中国推进IT创新;盛大网络与中国农行结成战略伙伴;英飞凌与中芯国际合作扩展至90纳米;泰克发表2006财政年度第二季季报;《迪士尼-金龟车贺比》驶入移动百宝箱;汉铭信通中标中国移动直放站采购...
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七彩虹915PL-L Ver2.0登场
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《大众硬件》2005年 第7期 19-19页
七彩虹C.915PL-L Ver2.0采用Intel 915PL+ICH6芯片组,支持90纳米LGA775奔腾4E与赛扬D处理器,支持双通道DDR400、150MB/SSATA串行硬盘模式,8声道高清音效等良好性能。在做工方面,七彩虹此款915PL可以用豪华来形容,四相供电设计,...
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中芯国际采用ARM物理IP,支持90nm工艺设计
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《电力电子》2006年 第3期4卷 69-69页
日前,中芯国际集电路和ARM公司共同宣布,中芯国际采用ARM Artisan物理IP系列产品中的ARMMetro低功耗/高密度产品和Advantage高性能产品,用于90纳米低渗漏和主流处理工艺。该协议通过在ARM网站免费下载的方式进一步增进了两家公司在...
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