摘要：利用apcvd方法在浮法玻璃表面沉积了TiO2薄膜,并用XRD和AFM分别研究了不同沉积温度下薄膜的晶型结构以及表面形貌。结果表明,随着沉积温度的升高,薄膜的晶型逐渐由无定形态转变为锐钛矿和金红石,薄膜的表面平均粗糙度逐渐变大。

摘要：为研究apcvd制备p-n结技术在晶硅太阳电池中的应用,对apcvd的原理及实现方式进行了分析。调节温度及气体流量比例,对apcvd制备PSG进行实验对比,得出随着O_2与氢化物的比例的增大,沉积的膜厚先增大后减小,升高温度有助于加快PSG的沉积这一结论。结合apcvd的原理及实现方式对双面太阳电池制备的关键工艺高温共扩散进行方案设计,并进行相应的实验验证,完成了成品双面电池的制作,正面转换效率达到19.68%,背面转换效率为11.66%。

摘要：采用常压化学气相沉积方法(atmospheric pressure chemical vapor deposition,apcvd)制备了氮氧化硅(Si—O—N)薄膜,研究了影响其沉积速率和生长模式的因素。在φ(NH_3):φ(SiH_4)=20:1,基板温度为650℃的条件下,当混合气体流量小于720ml/min时,薄膜的形成主要受气体扩散过程控制;当混合气体流量大于720 ml/min时,则主要受表面气相反应过程控制;混合气体流量为720 ml/min的条件下,氮氧化硅薄膜的沉积过程主要受基板表面的气相反应过程控制,薄膜沉积厚度与沉积时间成线性关系,反应速率为常数1640 nm/min,表面活化能为283 kJ/mol。通过SEM分析发现:氮氧化硅薄膜的形成方式符合三维成核模型,即反应初期Si,N,O等原子在基板表面相遇结合在一起形成原子团,一定数量的原子团构成临界核;反应中期临界核长大为岛状结构,岛不断长大,岛与岛之间相互接合形成通道网络结构;反应后期,原子不断填补网络空洞,最后成为连续薄膜。