文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

Al_2O_3沉积功率对共溅射Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管性能的影响: 收藏
分享
引用; 《电子设计工程》2015年第23期23卷 183-185,189页; 作者：武明珠郭永林苟昌华关晓亮王红波吉林大学电子科学与工程学院吉林长春130012; 我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶azto(Al-Zn-SnO)薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以azto薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O...; 我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶azto(Al-Zn-SnO)薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过率均在85%以上。然后,制备了以azto薄膜为有源层的薄膜晶体管。通过调节Al2O3沉积功率,进一步探究了Al2O3含量对azto薄膜晶体管性能的影响。研究发现,随着Al2O3沉积功率的增加,器件的迁移率逐渐下降,阈值电压升高,但是器件的关态电流显著降低,开关比提高。当Al2O3沉积功率为20 W时,获得了最好的转移特性曲线,其迁移率为2.43 cm2/V·s,开关比为1.9*105,阈值电压为26.6 V。; 来源：详细信息评论

限定检索结果