摘要：为了分析不同波长响应对光电阴极结构的要求,提出适用于各类响应的algaas基光电阴极的计算模型.通过宽光谱响应GaAs和窄带响应algaas基光电阴极样品试验证实模型的有效性.基于该模型仿真研究algaas基光电阴极组件中GaAs发射层及各子层、algaas窗口层、Si_(3)N_(4)增透层的厚度与400~900 nm单波长光子吸收情况的分布关系.仿真结果表明,同一波长响应下,GaAs发射层对光电阴极吸收率的影响最大,其次是Si_(3)N_(4)增透层,而algaas窗口层对吸收率的影响不明显.要得到90%以上的吸收率,在600 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于0.5μm,700 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于0.8μm,800 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于1.5μm.400~600 nm波段的光子主要在GaAs发射层表面0.2μm内被吸收,700~800 nm波段的光子主要在GaAs发射层表面0.6μm内被吸收,而850 nm以后的光子在各子层间的吸收比较均匀.该结论对不同响应algaas基光电阴极的优化设计具有一定的参考价值.