摘要：提出了用射频CML技术设计的2/3分频单元。基于2/3分频单元,使用0.35μm SiGebicmos工艺,实现了射频可编程N分频器。验证结果表明,电路可在GHz频率下正常工作,具有相噪低、功耗小等特点。在3GHz射频输入信号频率下,频偏100kHz的输出相位噪声为-143dBc/Hz。电路消耗的总电流仅为4mA(3V单电源电压),功耗仅为12mW。

摘要：基于SiGe bicmos工艺,设计实现了一款用于有源相控阵雷达的X波段低噪声放大器(LNA)。采用Cascode结构,有效扩展了放大器带宽,提高了放大器增益。使用噪声匹配与功率匹配一体化设计方法,实现了噪声与功率的同时匹配。同时加入了温度补偿偏置电路,降低了LNA高低温增益变化。采用0.18μm SiGe bicmos工艺进行设计仿真和流片,测试结果表明,该LNA最高增益为17 dB,全频带内高低温增益变化0.5 dB,噪声系数为1.8 dB@10 GHz;LNA使用1.8 V供电,工作电流为14 mA。芯片核心面积为0.50 mm×0.58 mm。

摘要：基于130 nm bicmos(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺提出一款超宽带低附加相移可变增益放大器.该设计采用可变增益放大器和开关衰减器的组合结构,其中可变增益放大器在宽带、高效率的反馈式放大器的基础上通过改变偏置实现增益控制,而开关衰减器的应用在拓宽增益控制范围的同时减小了偏置变化范围,从而减小了不同增益状态下的附加相移.提取版图寄生参数后的仿真结果表明:在1.6 V供电电压下,该可变增益放大器在3.5~11 GHz范围内增益平坦度小于±0.75 dB,增益控制范围为-22~10 dB,增益步进值为0.5 dB,噪声系数小于6.5dB,不同增益状态下的附加相移小于±5°,电路输出1 dB压缩点大于12 dBm,动态功耗小于155 mW.该可变增益放大器拓扑在满足项目需求的同时为减小可变增益放大器的附加相移提供了一种思路.

摘要：基于UMC 0.25μm bicmos工艺,设计了一款投影机过温保护电路。利用三极管BE结电压的负温度特性实现温度的检测,与传统的过温保护电路不同,该保护电路巧妙地利用比较器的内部正反馈实现热滞回,提高了迟滞的精确度。HSPICE仿真结果表明,该电路能很好地抑制电源电压变化造成的热关断和迟滞阈值点的漂移,性能稳定、可靠。电路能在温度过高时准确地将系统关断,达到保护光源和液晶板的目的,最大限度地保证了投影机的使用寿命。

摘要：提出一种9bit、8Gs/s的超高速跟踪保持放大器(THA)设计.该超高速跟踪保持放大器采用差分结构,对采样模块电路进行了改进,采用二极管连接的三极管和电容进行馈通效应补偿和非线性补偿,减小了跟踪保持放大器总谐波失真,提高了整体分辨率.基于0.18μm SiGe bicmos工艺,该跟踪保持放大器的总谐波失真约为-58.6dB,分辨率为9.4bit,跟踪模式带宽为4.6GHz,功耗为65mW.

摘要：基于0.18μm SiGe bicmos工艺,设计了一种应用于下一代移动通信3GPP LTE TDD2.6 GHz频段(Band38)的射频功率放大器(PA)芯片。射频功率放大器采用共发射极3级级联的全差分结构,提高了输出电压摆幅,减小了功率晶体管的集电极电流,且降低了寄生的键合线电感。在预放大级和中间放大级、功率级中分别设计了电阻偏置和有源偏置两种偏置电路以提高线性度性能,并通过MOS开关管实现功率控制功能。测试结果表明:在2.57～2.62 GHz工作频段内,正向增益S21大于30.5 dB,输入回波损耗S11和输出回波损耗S22分别均小于-13 dB,功率增益大于31 dB,输出1 dB压缩点功率达28.6 dBm,功率附加效率为18%。

摘要：基于0.6μm bicmos工艺,设计了一款高精度电荷泵电源管理芯片。该芯片利用2倍压电荷泵电源转换原理,芯片内部集成了具有优异频率响应的振荡器电容,施密特触发器提供内部精准频率,PFM调制提供稳定的输出电压。测试结果表明,芯片输入电压范围为2.7～5.5V,输出电压为5V,电压纹波小于20mV,内部振荡频率为700kHz,低功耗模式时电流仅为6.73μA。

摘要：针对目前集成电路中对高精度基准电流模块的高度需求,通过采用曲率补偿技术,设计了一种低温度系数(TC)的电流基准源;电路基于0.6um bicmos工艺,采用独特的设计方法,很好地利用了NPN、PNPBJT的温度特性;通过Hspice仿真和测试结果表明,在-45～85℃的温度范围内,该电路输出的基准电流温度系数为84.4ppm/℃。

摘要：论文设计实现了一个用于单芯片FM调谐器的低噪声放大器,放大器采用0.6um bicmos工艺实现。低噪声放大器采用匹配简单并且线性度很高的新式共基结构实现。仿真结果显示采用此结构的低噪声放大器的正向增益(S21)为24dB,信号频率范围内的噪声系数(Noise Figure)仅仅为2.5dB。输入3阶交调点(ⅡP3)为-15.25dB。本文中,我们将对该结构低噪声放大器进行具体的分析。

摘要：设计了一种基于bicmos 0.5μm工艺的低温漂高PSRR（Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比）带隙基准电路。电路的核心结构是Brokaw结构,采用自偏置启动电路,鉴于对于温漂的高要求,选用了二阶温度补偿电路。经过Hspice仿真表明：此基准电路具有良好的温度特性,5.0 V供电在233 K（-40℃）到398 K（125℃）变化时,基准输出波动范围为1.248 8-1.249 8 V,温度系数为4.57×10^-6/K;电路的PSRR在低频时为-77 dB;当电源电压从2.5 V变化到5.0 V时,带隙基准的输入电压线性调整率为0.024%,最低工作电压为2.06 V,整体静态电流为28.39μA。