摘要：针对2.4 GHz 802.11 b/g无线局域网(WLAN)的应用,该文设计了一种单片全集成的射频功率放大器(PA)。由于在自适应偏置电路中采用异质结晶体管(HBT)和电容构成的简单结构提高PA的线性度,因此不增加PA的直流功耗、插损和芯片面积。在基极偏置的DC通路中采用电阻负反馈实现温度稳定功能,有效避免热崩溃的同时不引起射频损耗。采用了GRACE 0.18μm SiGe bicmos工艺流片,芯片面积为1.56 mm2,实现了包括所有偏置电路和匹配电路的片上全集成。测试结果表明,在2.4-2.5 GHz工作频段,PA的小信号增益S 21达23 dB,输入回波损耗S 11小于-15 dB。PA的1 dB输出压缩点的线性输出功率为19.6 dBm,功率附加效率为20%,功率增益为22 dB。

摘要：运用双极互补金属氧化物半导体（bicmos）的先进技术,设计了几个实用的电流源／基准电压源（CS／VR）电路,并籍助于通用电路模拟软件PSpice3.00,对它们进行了仿真研究。

摘要：首先提出了基于PNP-PNP的二值bicmos电路的一般结构,然后应用传输电压开关理论,从开关级设计基于PNP-PNP的二值bicmos通用驱动电路,进而设计二值全摆幅bicmos通用驱动电路,并运用所设计的二值全摆幅bicmos通用驱动电路设计各种二值全摆幅bicmos电路,例如:反相器电路、与非门电路和或非门电路.PSPICE模拟结果表明,所设计的电路不仅具有理想的逻辑功能,而且电路结构简单.更重要的是:该二值通用驱动电路可应用于任何其他二值bicmos电路的设计中.

摘要：设计了几种bicmos三态输出门电路,提出了采用先进的0.5mm bicmos工艺,制备所设计的三态输出门的技术要点和器件参数,并分析了它们既具有双极型(Bipolar)门电路快速、大电流驱动能力,又具备CMOS逻辑门低压、低功耗和高集成度的特性,因而它们特别适用于高速缓冲数字信息系统和其它便携式数字设备中。

摘要：bicmos电路由于具有Bipolar和CMOS的优点,即高集成度、大驱动能力和高速等优点,而且其工艺与CMOS工艺兼容,在高速和数模混合的集成电路中得到了广泛的应用.但随着集成电路规模的增大,尤其是bicmos电路本身的复杂性,测试时间、测试图形生成时间及所需数据量均增加很快,测试成本随之增高,因而研究bicmos电路的可测性设计方法是很有必要的.目前,关于bicmos电路的可测性设计方法还不多见.Salama与Elmasry提出的方法虽然能够测出电路的常见故障,但这种方法占用芯片面积大,故障覆盖率不高,当电路规模很大时难以使用.

摘要：利用工作在弱反型区MOS管饱和漏电流的指数特性,设计了一款与绝对温度成正比(PTAT)bicmos集成温度传感器,主要电路由PTAT电流产生电路、启动电路和输出电路3部分组成,电路结构简单,体积小。测试结果表明,该温度传感器的精度小于0.5℃,线性度小于0.65%,灵敏度为2.5μA/℃,芯片面积为150μm×75μm,具有线性度及灵敏度高的优点,可广泛应于各类便携式电子产品中。

摘要：基于IBM 0.18μm SiGe bicmos工艺,采用温度脉冲转换方式设计了一种应用于无源RFID标签的温度传感器。与绝对温度呈正比(PTAT)的电流源和电流饥饿环型振荡器产生频率与温度呈正相关的振荡信号,作为计数器的时钟信号;用数字模块对接收的帧头代码进行处理得到一个宽度为200μs的脉冲信号,作为计数器的使能信号;利用时域数字量化方式就可以得到不同温度下的数字信号。温度传感器总面积为0.03 mm2,温度在-100~120℃范围内变化时,振荡器输出频率范围由800 kHz^1.8 MHz。在1.8 V电源电压下,温度传感器平均输出电流约为13μA,芯片测试结果的有效分辨率可以达到0.864 LSB/℃。

摘要：设计了一种65-kb bicmos静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm bicmos工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的bicmosSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。

摘要：给出了应用于"Witone数字集群移动通信系统"的移动用户台发射部分的功率放大器的设计。该功率放大器基于AMS 0.35μm SiGe bicmos工艺,采用单端两级放大结构,工作于AB类。测试结果显示,设计的功率放大器的功率增益为22.9 dB,输入1 dB压缩点功率为-10.1dBm,对应的输出功率为11.8 dBm,饱和输出功率25.5 dBm,最大功率附加效率18.6%。

摘要：为了促进我国通信用高性能电子电路和各种通信ASIC新产品的设计、研制和应用,本文首先论述了性能卓越的bicmos技术的先进性,然后讨论了国外流行的两种bicmos工艺制作技术及其特殊考虑,以及在通信工程中的应用电路,最后分析了bicmos技术在我国高速通信、信息处理电路和系统(如CPU、SRAM、DSP、SOC和数/模混合电路等)中的应用前景和发展趋势。文中提出了运用先进的bicmos技术于中国通信电路和系统中的观点。